[發明專利]制造太陽能電池的方法

無效

• 申請號: 201310737942.3
• 申請日: 2013-12-26
• 公開（公告）號: CN103928566A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 金珉圣;金旼奎;金秀娟;南毓鉉;姜球賢
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;王占杰

技術領域

本發明涉及一種制造太陽能電池的方法。

背景技術

為了制作太陽能電池模塊，使用用于形成多個單位單元并且串聯地使用單位單元的工藝，其中，每個單位單元包括形成在基板上的電極和光吸收層。將電極和光吸收層適當地圖案化，使得單位單元各自分離并且彼此電學地使用或電學地結合，但是圖案化工藝因損害了電極（例如，位于基板和光吸收層之間的第一電極或下電極）而可能使整個太陽能電池的特性劣化。

在本背景技術部分中公開的以上信息僅為了增強對本發明的背景的理解，因此，其可以包含不構成對于本領域普通技術人員來說在本國內已知的現有技術的信息。

發明內容

一種用于制造太陽能電池的方法包括：在基板上形成第一電極；去除第一電極的一部分以形成第一電極開口；在第一電極上和在第一電極開口中形成光吸收層；以及對基板施加激光束以在第一電極和至少光吸收層之間產生界面反應，從而去除光吸收層的一部分以形成光吸收層開口。

所述界面反應可以包括在光吸收層中的硒（Se）的蒸發。

所述界面反應可以包括在光吸收層中的硫（S）的蒸發。

可以在光吸收層上和在光吸收層開口中形成第二電極；可以對基板施加激光束以在第一電極和至少光吸收層之間產生另一次界面反應，從而去除光吸收層的另一部分和第二電極的相應部分以形成第二電極開口。

光吸收層可以包括屬于周期表的第IB族的元素、屬于周期表的第IIIA族的元素以及屬于周期表的第VIA族的元素的化合物。

光吸收層可以包括CuInSe、CuInSe₂、CuInGaSe或CuInGaSe₂。

光吸收層可以包括硫（S）以及CuInSe、CuInSe₂、CuInGaSe和CuInGaSe₂中的一種。

第二電極可以包括BZO、ZnO、In₂O₃或ITO。

可以在第二電極上形成抗反射涂層。

可以在形成第二電極之前在光吸收層上形成緩沖層。

緩沖層可以包括CdS、ZnS或In₂O₃。

可以在形成光吸收層之前在第一電極上形成中間層。

中間層可以包括MoSe₂。

激光束可以使所述中間層中的硒（Se）蒸發。

層間層可以在大約至大約厚度的范圍內。

第一電極可以是不透明的。

第一電極可以包括鎳（Ni）、銅（Cu）、金（Au）或鉬（Mo）。

本發明的實施例提供了一種用于制造太陽能電池的方法，其中，當通過將太陽能電池的電極和光吸收層圖案化來構造該太陽能電池時，該方法減少了對該電極的損害或使對電極的損害最小化。

根據本發明的示例實施例的用于制造太陽能電池的方法，當在基板上形成多個單位單元時，可以減少（例如，防止）對形成單位單元的電極的損害并且可以均勻地劃分單位單元，從而防止所制造的太陽能電池的效率的下降或劣化。

此外，可以通過使用相同的激光束來圖案化其他圖案，從而降低了制造成本。

本發明的附加方面和/或特性將在下面的描述中部分地進行闡述，部分地通過描述將是清楚的或者可通過本發明的實踐而了解。

附圖說明

圖1示出根據本發明的實施例的太陽能電池的剖視圖。

圖2至圖7示出根據本發明的實施例的用于制造太陽能電池的工藝的剖視圖。

圖8示出根據本發明的實施例的第二電極開口的圖像。

圖9示出根據對比工藝的第二電極開口的圖像。

具體實施方式

在下文中，將參照附圖更充分地描述本發明，在附圖中示出了本發明的示例實施例。如本領域技術人員將意識到的，在所有不脫離本發明的精神或范圍的情況下，可以以各種不同的方式修改所描述的實施例。

圖1示出根據本發明的實施例的太陽能電池的構造的剖視圖。

參照圖1，太陽能電池100包括基板10、第一電極20（例如，下電極層或不透明電極層）、光吸收層30、緩沖層40和第二電極50（例如，上電極層或透明電極層）。

太陽能電池100可以是在光吸收層30中包括CIS（Cu、In和Se）或CIGS（Cu、In、Ga和Se）的化合物半導體太陽能電池。在下文中，將舉例說明包括CIS或CIGS的光吸收層30。