[發明專利]一種超結高壓器件的制造方法有效
| 申請號： | 201310734730.X | 申請日： | 2013-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN103730371B | 公開（公告）日： | 2017-04-19 |
| 發明（設計）人： | 陳橋梁;馬治軍;任文珍;倪嘉 | 申請（專利權）人： | 西安龍騰新能源科技發展有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安新思維專利商標事務所有限公司61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710021 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高壓 器件 制造 方法 | ||
1.一種超結高壓器件的制造方法，其特征在于：包括以下步驟：
步驟一：準備具有N+摻雜襯底的硅片，所述襯底上具有N型摻雜的N外延（1）；
步驟二：在N型摻雜襯底的硅片表面通過光刻界定出第一溝槽（4）的區域，并通過刻蝕工藝形成第一溝槽（4）；所述第一溝槽（4）寬度為X2，深度為Y2，且滿足2X1>X2>X1，2Y1>Y2>Y1，其中，X1為傳統溝槽制造工藝形成的溝槽寬度,Y1為其深度；
步驟三：在N型摻雜襯底的硅片的表面上，用P型雜質濃度的P型外延層（6）來填充第一溝槽（4），此處填充第一溝槽（4）的雜質濃度為p2，且滿足：p2>p1，其中p1為傳統填充溝槽的雜質濃度；
步驟四：將N型摻雜襯底的硅片的表面上填充第一溝槽（4）之外的P型外延層（6）去除掉，形成相間排列的P柱和N柱，即形成復合緩沖層；
步驟五：在復合緩沖層表面通過光刻界定出第二溝槽（5）的區域，并通過刻蝕工藝形成第二溝槽（5），此處第二溝槽（5）的寬度為X3，深度為Y2，滿足關系式：X2>X3>X1，2Y1>Y2>Y1,被刻蝕掉的部分包括一部分P柱和一部分N柱，剩余的P柱寬度為X4，深度為Y2，滿足關系式：X4<X1；
步驟六：在具有復合緩沖層的硅片表面上生長N型雜質濃度的外延層來填充第二溝槽（5）；此處填充的N型外延雜質濃度與N+摻雜襯底的硅片的N型外延層雜質濃度相同；
步驟七：將復合緩沖層的硅片表面上多余的N型外延層去除掉，形成相間排列的P柱和N柱，即形成新的復合緩沖層；
步驟八：在新的復合緩沖層的硅片表面制造器件的特征層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
