[發明專利]一種低溫燒結片式氧化鋅壓敏電阻及其制備方法

無效

• 申請號: 201310732238.9
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN103724009A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: 褚冬進;梁自偉;陳玉萍;常寶成;覃遠東;周軍偉;劉丹
• 申請（專利權）人: 廣西新未來信息產業股份有限公司
• 主分類號: C04B35/453
• 分類號: C04B35/453;C04B35/622
• 代理公司: 北海市海城區佳旺專利代理事務所(普通合伙) 45115
• 代理人: 黃建中

1.一種低溫燒結片式氧化鋅壓敏電阻，其特征是：所述的壓敏電阻主要由下述摩爾百分比的原料制備而成：?

ZnO∶Bi₂O₃∶Co₃O₄∶Sb₂O₃∶MnCO₃∶Ni₂O₃∶ZrO₂∶SiO₂∶SnO₂∶MgO∶Al(NO₃)₃·9H₂O∶AgNO₃∶KNO₃∶BaCu(B₂O₅)等于96.0%-97.1%∶0.55%-0.75%∶0.35%-0.5%∶0.8%-1.2%∶0.45%-0.7%∶0.35%-0.42%∶0.01%-0.06%∶0.06%-0.12%∶0.06%-0.12%∶0.06%-0.24%∶0.003%-0.01%∶0.01%-0.015%∶0.005%-0.012%∶?0.12-0.25%，各組分含量之和為100%。

2.一種低溫燒結片式氧化鋅壓敏電阻的制備方法，其特征是：所述制備方法主要包括下述步驟：

（1）首先將純度大于99%的分析純原料BaCO₃、B₂O₃、CuO按摩爾比1:1:1稱量配制成主粉體；

（2）將步驟（1）中主粉體用濕式高能球磨混合4-8小時,溶劑為去離子水，球磨介質為鋯球，主粉體、鋯球、去離子水質量比為1∶3.75∶2，將混合后的粉料120℃-150℃下快速烘干，用研缽碾碎后，放入匣缽中，在電阻爐內加熱至700℃煅燒，升溫速率5℃/分鐘，保溫2小時，即可得到BaCu(B₂O₅)低溫燒結助劑塊體；

（3）將步驟（2）中BaCu(B₂O₅)低溫燒結助劑塊體用高能球磨粉碎6小時，溶劑為無水乙醇，球磨介質為鋯球，塊體、鋯球、無水乙醇質量比為1:3.75:3，將球磨出的粉料烘干，使其完全過325目篩網，即可得到BaCu(B₂O₅)低溫燒結助劑粉料備用。

3.（4）將純度大于99%的分析純原料按摩爾百分比ZnO∶Bi₂O₃∶Co₃O₄∶Sb₂O₃∶MnCO₃∶Ni₂O₃∶ZrO₂∶SiO₂∶SnO₂∶MgO∶Al(NO₃)₃·9H₂O∶AgNO₃∶KNO₃∶BaCu(B₂O₅)等于96.0%-97.1%∶0.55%-0.75%∶?0.35%-0.5%∶0.8%-1.2%∶0.45%-0.7%∶0.35%-0.42%∶0.01%-0.06%∶0.06%-0.12%∶0.06%-0.12%∶0.06%-0.24%∶0.003%-0.01%∶0.01%-0.015%∶0.005%-0.012%∶0.12-0.25%，各組分含量之和為100%，稱量配置成低溫燒結片式氧化鋅壓敏電阻混合粉體，然后放入球磨罐中，加入鋯球、去離子水和分散劑，濕式高能球磨混合4-8小時，其中，鋯球、去離子水、分散劑、低溫燒結片式氧化鋅壓敏電阻混合粉體質量比為3-4?∶1-2?∶0.01-0.03?∶?1；將混合后的低溫燒結片式氧化鋅壓敏電阻混合粉體放在烘箱內以120℃-150℃快速干燥，直至完全烘干；所述分散劑指的是銨鹽類陽離子表面活性劑；

（5）將步驟（4）中烘干的低溫燒結片式氧化鋅壓敏電阻混合粉體用研缽碾碎，放入匣缽中，在電阻爐內加熱至850℃預燒收縮，升溫速率5℃/分鐘，保溫2小時；

（6）然后將步驟（5）中預燒的低溫燒結片式氧化鋅壓敏電阻混合粉料放入球磨罐中，加入鋯球、無水乙醇，濕式高能球磨混合4-8小時，取出后干燥，并使其過325目篩網，其中預燒粉料、鋯球、無水乙醇的質量比為1：3.75：3；

（7）在步驟（6）所得過篩后的預燒粉料中加入聚乙烯醇縮丁醛、甲苯、無水乙醇、分散劑和增塑劑，高能球磨4-8小時，使其變成介質流延漿料，其中預燒粉料、聚乙烯醇縮丁醛、甲苯、無水乙醇、分散劑和增塑劑的質量比為1?：0.1-0.2?：0.1-0.15?：0.25-0.3?：0.01-0.03?：0.01-0.02?；

(8)?將步驟（7）所得的介質流延漿料通過陶瓷膜片流延機制作成介質膜片；

(9)?在步驟（8）所得的介質膜片上印刷銀電極漿料作為內電極，然后在120℃-150℃條件下將其烘干；

(10)?將6-10張步驟（9）印刷了內電極的介質膜片交叉錯位疊在一起，疊片完成后在疊片上下各加一層步驟8未印刷內電極的介質膜片，疊片后得到巴塊；

(11)?將步驟（10）制作好的巴塊在50℃-85℃條件下烘巴4-12小時；

(12)?將已烘巴的巴塊在55℃恒溫等靜壓25MPa下成型，然后根據生芯片尺寸進行切割成芯片坯體；

(13)?然后將芯片坯體在360℃條件下排膠，升溫速率1-2℃/分鐘，保溫4小時；

(14)?將排膠好的芯片坯體900℃條件下燒結，升溫速率5℃/分鐘，保溫2小時，自然降溫；

(15)?將燒結后的芯片進行端電極涂覆，烘干，并在550℃條件下燒銀，即可獲得低溫燒結片式氧化鋅壓敏電阻。