[發明專利]一種通過光源照射來控制銀納米線生長的制備方法有效
| 申請號： | 201310731412.8 | 申請日： | 2013-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN103737015A | 公開（公告）日： | 2014-04-23 |
| 發明（設計）人： | 顧宏偉;魯英杰 | 申請（專利權）人： | 蘇州創科微電子材料有限公司 |
| 主分類號： | B22F9/24 | 分類號： | B22F9/24;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215100 江蘇省蘇州市蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 通過 光源 照射 控制 納米 生長 制備 方法 | ||
1.一種通過光源照射來控制銀納米線生長的制備方法，其特征在于：所述方法包括以下步驟：
(1)將表面活性劑加入到羥基化合物中混合溶解；
(2)向混合溶液中加入由羥基化合物溶解的銀鹽和鹵化物，攪拌混合形成種子溶液；
(3)加入作為生長液的羥基化合物溶解的銀鹽；
(4)一定溫度下，在光源照射下控制銀納米線的生長，得到不同直徑和長度的銀納米線。
2.根據權利要求1所述的一種通過光源照射來控制銀納米線生長的制備方法，其特征在于：所述羥基化合物在16oC時粘度不低于18mPa·s，優選粘度不低于25mPa·s。
3.根據權利要求1所述的一種通過光源照射來控制銀納米線生長的制備方法，其特征在于：所述銀鹽的摩爾濃度不高于100M；優選為0.01~0.5M。
4.根據權利要求1所述的一種通過光源照射來控制銀納米線生長的制備方法，其特征在于：所述光源的光照強度不低于15μw/cm2，優選600μW/cm2-10000μW/cm2。
5.根據權利要求1所述的一種通過光源照射來控制銀納米線生長的制備方法，其特征在于：所述光源選自太陽光、可見光、紫外光、紅外光中的一種或多種。
6.根據權利要求5所述的一種通過光源照射來控制銀納米線生長的制備方法，其特征在于：所述太陽光、可見光的光波波長范圍在770～350納米之間的光，包括770～622nm的紅光、622～597nm的橙光、597～577nm的黃光、577～492nm的綠光、492～455nm的藍靛光、455～350nm的紫光。
7.根據權利要求5所述的一種通過光源照射來控制銀納米線生長的制備方法，其特征在于：所述紫外光包括波長范圍分別為400~315nm、315~280nm、280~190nm的紫外光。
8.根據權利要求1所述的一種通過光源照射來控制銀納米線生長的制備方法，其特征在于：所述溫度不高于350oC，優選為65oC-300oC，進一步優選溫度為95oC-250oC，更優選120oC-220oC。
9.根據權利要求1所述的一種通過光源照射來控制銀納米線生長的制備方法，其特征在于：所述銀鹽為可溶性銀鹽，所述鹵化物為可溶性鹵化物，所述表面活性劑選自聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇中的一種或兩種。
10.根據權利要求9所述的一種通過光源照射來控制銀納米線生長的制備方法，其特征在于：所述鹵化物為可溶性溴化物、碘化物或氯化物，包括但不限定溴化鈉、溴化鉀、碘化鈉、碘化鉀、NR4Br、NR4I、氯化鈉、氯化鉀、NR4Cl的一種或幾種，優選為溴化物。
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