[發明專利]單根ZnO微米線同質結發光二極管的制備方法有效
| 申請號： | 201310730886.0 | 申請日： | 2013-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN103715325A | 公開（公告）日： | 2014-04-09 |
| 發明（設計）人： | 馮秋菊;唐凱;呂佳音;劉洋;李夢軻 | 申請（專利權）人： | 遼寧師范大學 |
| 主分類號： | H01L33/26 | 分類號： | H01L33/26;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 大連非凡專利事務所 21220 | 代理人： | 閃紅霞 |
| 地址： | 116029 遼寧*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | zno 微米 同質 結發 二極管 制備 方法 | ||
1.一種單根ZnO微米線同質結發光二極管的制備方法，其特征在于依次按如下步驟進行：
a.將純度大于99%的ZnO粉末和C粉按照質量比1～10：1充分混合制成反應源材料，將反應源材料放入石英舟內，然后再將石英舟放入化學氣相沉積系統石英管的中心處，襯底位于反應源材料下方1~30cm處；
b.?通入載氣氬氣，氬氣流量為10~500ml/min，當溫度加熱至950~1100℃時，通入氧氣，氧氣流量為1~100ml/min，開始n型ZnO微米線的生長，生長時間為15～30分鐘；
c.?關閉氧氣、保持氬氣流量，降溫至400～700℃拔掉進氣口處的石英帽，把石英舟取出；
d.?將純度大于99%的ZnO粉末和C粉及純度大于99.9%的Sb2O3粉末按照質量比20：3：1～10充分混合制成反應源材料，再將反應源材料放入另一石英舟內，然后再將此石英舟放入化學氣相沉積系統石英管的中心處；
e.?當溫度加熱至950~1100℃時，通入氧氣，氧氣流量為1~100ml/min，開始p型ZnO微米線的生長，生長時間為20～40分鐘；
f.?關閉氧氣，保持氬氣流量，降溫至室溫，取出樣品；
g.?從樣品襯底底部剝離出單根微米線，分別在單根微米線的兩端制作電極，從而制成單根ZnO微米線同質結發光二極管。
2.根據權利要求1所述的單根ZnO微米線同質結發光二極管的制備方法，其特征在于：所述生長溫度為1000℃；所述d步驟的純度大于99%的ZnO粉末和C粉及純度大于99.9%的Sb2O3粉末的質量比為20：3：5。
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