[發明專利]晶片的加工方法以及激光加工裝置有效
| 申請號: | 201310729521.6 | 申請日: | 2013-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN103909345A | 公開(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發明(設計)人: | 重松孝一;能丸圭司 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | B23K26/02 | 分類號: | B23K26/02 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;蔡麗娜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 加工 方法 以及 激光 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及晶片的激光加工方法以及激光加工裝置,能夠將在正面在通過呈格子狀地形成的間隔道劃分出的多個區域形成有器件的晶片沿著間隔道分割成一個個器件,并且對裝配于各器件的背面的芯片結合用的粘接膜是否沿著器件的外周斷裂進行確認。
背景技術
例如,在半導體器件制造工序中,在大致圓板形狀的半導體晶片的正面,在通過呈格子狀地形成的分割預定線(間隔道)劃分出的多個區域形成IC(集成電路)、LSI(大規模集成電路)等器件,沿著間隔道對形成有該器件的各區域進行分割,由此,制造出一個個半導體器件。作為分割半導體晶片的分割裝置一般使用切割裝置,該切割裝置通過厚度為20μm左右的切削刀具沿著間隔道來切削半導體晶片。像這樣分割出的半導體器件在封裝之后被廣泛利用到便攜電話和個人電腦等電氣設備中。
關于被分割成單個的半導體器件,在其背面裝配有由聚酰亞胺系樹脂、環氧系樹脂、丙烯酸系樹脂等形成的厚度為20~40μm的、稱為芯片粘接膜(DAF,Die?Attach?Film)的芯片結合用的粘接膜,通過加熱而經該粘接膜結合到支撐半導體器件的芯片結合框架。作為將芯片結合用的粘接膜裝配到半導體器件的背面的方法,將粘接膜粘貼到半導體晶片的背面,將半導體晶片經該粘接膜粘貼到切割帶上,然后,利用切割刀具沿著形成于半導體晶片的正面的間隔道將半導體晶片與粘接膜一起切斷,由此,形成了在背面裝配有粘接膜的半導體器件。(例如,參照專利文獻1)。
然而,根據日本特開2000-182995號公報所公開的方法,存在這樣的問題:在利用切削刀具將半導體晶片和粘接膜一起切斷而分割出一個個半導體器件時,在半導體器件的背面產生有缺口,或者在粘接膜產生須狀的毛邊從而成為引線接合時斷線的原因。
近年來,便攜電話和個人電腦等電氣設備要求更輕量化、小型化,從而需要更薄的半導體器件。作為更薄地分割半導體器件的技術,所謂稱為先切割法的分割技術被實用化了。該先切割法是這樣的技術:從半導體晶片的正面沿著間隔道形成規定的深度(相當于半導體器件的完成品厚度的深度)的切削槽,然后,對在正面形成有切削槽的半導體晶片的背面進行磨削,使切削槽在該背面露出從而將半導體晶片分割成一個個半導體器件,可以將半導體器件的厚度加工到50μm以下。
然而,在通過先切割法將半導體晶片分割成一個個半導體器件的情況下,在從半導體晶片的正面沿著間隔道形成了規定的深度的切削槽之后,對半導體晶片的背面進行磨削,使切削槽在該背面露出,因此,不能將芯片結合用的粘接膜提前裝配到半導體晶片的背面。因此,存在這樣的問題:通過先切割法,在結合到支撐半導體器件的芯片結合框架時,不得不將結合劑插入到半導體器件與芯片結合框架之間,不能順暢地實施結合作業。
為了解決這樣的問題,提出了這樣的半導體器件的制造方法:將芯片結合用的粘接膜裝配到通過先切割法而被分割成一個個半導體器件的晶片的背面,將半導體器件隔著該粘接膜粘貼到切割帶上,之后,從半導體器件的正面側穿過各半導體器件之間的間隙向在上述間隙露出的該粘接膜的部分照射激光光線,從而除去粘接膜的在上述間隙露出的部分。(例如,參照專利文獻2)。
現有技術文獻
專利文獻1:日本特開2000-182995號公報
專利文獻2:日本特開2002-118081號公報
然而,在上述專利文獻2所記載的加工方法中,當半導體器件間的間隙不足,或半導體器件向分割槽側突出時,激光光線被半導體器件局部阻擋而產生有粘接膜沒有被切斷的部位。因此,存在這樣的問題:當從切割帶拾取半導體器件時,產生不能將粘接膜和半導體器件一起拾取的部位,而不能順暢地完成拾取工序。
發明內容
本發明是鑒于上述事實而完成的發明,其主要的技術課題在于提供晶片的加工方法和激光加工裝置,能夠確認裝配于器件背面的芯片結合用的粘接膜是否被沿著器件的外周斷裂。
為了解決上述主要的技術課題,根據本發明提供了一種晶片的加工方法,用于將在正面的通過形成為格子狀的多條間隔道劃分出的多個區域形成有器件的晶片沿著間隔道分割成一個個器件,并且將粘接膜裝配到各器件的背面,
上述晶片的加工方法的特征在于,具有:
分割槽形成工序,從晶片的正面側沿著間隔道形成相當于器件的完成品厚度的深度的分割槽;
保護部件粘貼工序,將保護部件粘貼到實施了上述分割槽形成工序的晶片的正面;
晶片分割工序,對實施了上述保護部件粘貼工序的晶片的背面進行磨削使上述分割槽在背面露出,將晶片分割成一個個器件;
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