[發(fā)明專利]一種Ni摻雜晶硅中間帶材料及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310726455.7
• 申請(qǐng)日: 2013-12-25
• 公開（公告）號(hào): CN103681900A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳朝;陳蓉;范寶殿
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/0264
• 分類號(hào): H01L31/0264;H01L31/18
• 代理公司: 廈門南強(qiáng)之路專利事務(wù)所(普通合伙) 35200
• 代理人: 馬應(yīng)森

1.一種Ni摻雜晶硅中間帶材料，其特征在于其載體為晶體硅，在晶體硅中摻雜Ni雜質(zhì)，Ni元素在晶體硅中的濃度大于5.9×10¹⁹cm^-3，摻雜Ni雜質(zhì)形成雜質(zhì)中間帶。

2.如權(quán)利要求1所述一種Ni摻雜晶硅中間帶材料的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

1）使用磁控濺射法或蒸發(fā)鍍膜法在硅片表面制備一層Ni薄膜；

2）使用一維線型連續(xù)激光對(duì)Ni薄膜進(jìn)行激光輻照；

3）用氫氟酸溶液對(duì)激光輻照后的硅片進(jìn)行腐蝕后，得Ni摻雜晶硅中間帶材料。

3.如權(quán)利要求2所述一種Ni摻雜晶硅中間帶材料的制備方法，其特征在于在步驟1）中，所述硅片的厚度為200～500μm。

4.如權(quán)利要求2所述一種Ni摻雜晶硅中間帶材料的制備方法，其特征在于在步驟1）中，所述Ni薄膜厚度與硅片厚度之比為1～3∶1000。

5.如權(quán)利要求2所述一種Ni摻雜晶硅中間帶材料的制備方法，其特征在于在步驟2）中，所述激光輻照所用的激光包括但不限于YAG：Nd一維線型連續(xù)激光，激光器輸入功率為900～1250W；激光器的掃描速率為2～10mm/s。

6.如權(quán)利要求2所述一種Ni摻雜晶硅中間帶材料的制備方法，其特征在于在步驟3）中，所述氫氟酸溶液的質(zhì)量濃度為10%～40%。

7.如權(quán)利要求2所述一種Ni摻雜晶硅中間帶材料的制備方法，其特征在于在步驟3）中，所述腐蝕的時(shí)間為5～15min。