[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310724113.1 | 申請(qǐng)日： | 2013-12-25 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103904088B | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-06-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 山崎舜平;三宅博之 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L27/12 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/336;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人： | 金光華 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電極 半導(dǎo)體裝置 電容元件 電容線(xiàn) 掃描線(xiàn) 導(dǎo)電膜 絕緣膜 透光性導(dǎo)電膜 透光性材料 半導(dǎo)體膜 電荷容量 像素電極 制造成本 制造工序 介電膜 晶體管 開(kāi)口率 漏電極 透光性 源電極 掩模 平行 制造 開(kāi)口 延伸 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
包括柵電極、源電極、漏電極以及透光性半導(dǎo)體膜的晶體管；
在形成有所述透光性半導(dǎo)體膜的表面上的透光性導(dǎo)電膜，其中該透光性導(dǎo)電膜用作電容元件的一對(duì)電極中的一個(gè)電極；
在所述透光性導(dǎo)電膜上的絕緣膜，其中該絕緣膜用作所述電容元件的介電膜；
電連接到所述晶體管的像素電極，其中該像素電極用作所述電容元件的一對(duì)電極中的另一個(gè)電極；
在形成有所述柵電極的表面上的電容線(xiàn)；
在形成有所述像素電極的表面上的電極；以及
在形成有所述源電極或所述漏電極的表面以及所述透光性導(dǎo)電膜上的導(dǎo)電膜，
其中，所述電容線(xiàn)通過(guò)所述電極和所述導(dǎo)電膜電連接到所述透光性導(dǎo)電膜，
并且，所述透光性導(dǎo)電膜包括其導(dǎo)電率高于所述透光性半導(dǎo)體膜的導(dǎo)電率的區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，
其中所述透光性半導(dǎo)體膜在所述柵電極上，
所述源電極及所述漏電極在所述透光性半導(dǎo)體膜上，
并且所述電極在所述導(dǎo)電膜上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，
其中所述透光性半導(dǎo)體膜是氧化物半導(dǎo)體膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，還包括在其間夾有所述氧化物半導(dǎo)體膜的第一氧化物膜和第二氧化物膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，
其中所述透光性導(dǎo)電膜包含選自由氫、硼、氮、氟、鋁、磷、砷、銦、錫、銻和稀有氣體元素構(gòu)成的組中的一種以上元素。
6.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
包括柵電極、源電極、漏電極以及透光性半導(dǎo)體膜的晶體管；
具有氧化絕緣膜和該氧化絕緣膜上的氮化絕緣膜的疊層結(jié)構(gòu)的絕緣膜，其中該絕緣膜在所述透光性半導(dǎo)體膜上；
在形成有所述透光性半導(dǎo)體膜的表面上的透光性導(dǎo)電膜，其中該透光性導(dǎo)電膜與所述氧化絕緣膜接觸并用作電容元件的一對(duì)電極中的一個(gè)電極；
電連接到所述晶體管的像素電極，其中該像素電極用作所述電容元件的一對(duì)電極中的另一個(gè)電極；
在形成有所述柵電極的表面上的電容線(xiàn)；
在形成有所述像素電極的表面上的電極；以及
在形成有所述源電極或所述漏電極的表面以及所述透光性導(dǎo)電膜上的導(dǎo)電膜，
其中，所述氮化絕緣膜用作所述電容元件的介電膜，
所述電容線(xiàn)通過(guò)所述電極和所述導(dǎo)電膜電連接到所述透光性導(dǎo)電膜，
并且，所述透光性導(dǎo)電膜包括其導(dǎo)電率高于所述透光性半導(dǎo)體膜的導(dǎo)電率的區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，
其中所述透光性半導(dǎo)體膜在所述柵電極上，
所述源電極及所述漏電極在所述透光性半導(dǎo)體膜上，
并且所述電極在所述導(dǎo)電膜上。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，
其中，所述透光性半導(dǎo)體膜是氧化物半導(dǎo)體膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，還包括在其間夾有所述氧化物半導(dǎo)體膜的第一氧化物膜和第二氧化物膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，
其中所述透光性導(dǎo)電膜包含選自由氫、硼、氮、氟、鋁、磷、砷、銦、錫、銻和稀有氣體元素構(gòu)成的組中的一種以上元素。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
