[發(fā)明專利]氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310721515.6 | 申請日： | 2013-12-24 |
| 公開（公告）號： | CN103730555A | 公開（公告）日： | 2014-04-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 董木森;申利瑩;劉曉峰;張東炎;張潔;王篤祥 | 申請（專利權(quán)）人： | 天津三安光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氮化物 半導(dǎo)體 發(fā)光 器件 | ||
1.氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，包含：
襯底，由氮化物半導(dǎo)體分別形成的n型層、發(fā)光層和p型層依次疊層于所述襯底之上；
其特征在于：還包括電流擴(kuò)展層，其具有至少由兩層u型氮化物半導(dǎo)體層疊層而成的多層結(jié)構(gòu)，在所述各u型氮化物半導(dǎo)體層之間的界面處形成n型摻雜，其摻雜濃度大于或等于1×1018cm-3。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：所述電流擴(kuò)展層的厚度為100~20000?nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：所述電流擴(kuò)展層具有2~200層u型氮化物半導(dǎo)體層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：所述各u型氮化物半導(dǎo)體層的厚度為1~100?nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：所述各u型氮化物半導(dǎo)體層之間界面處形成n型摻雜的厚度≤2?nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：所述各u型氮化物半導(dǎo)體層之間界面處的n型摻雜濃度為5×1018?~?5×1020?cm-3。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：所述各u型氮化物半導(dǎo)體層之間界面處的n型摻雜濃度大于所述n型層的摻雜濃度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：所述各u型氮化物半導(dǎo)體層之間界面處的n型摻雜濃度為均勻摻雜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：所述各u型氮化物半導(dǎo)體層之間界面處的n型摻雜濃度呈線性遞增或遞減。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：所述各u型氮化物半導(dǎo)體層之間界面處的n型摻雜濃度呈鋸齒、矩形、正弦或階梯狀分布。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：還包括由預(yù)定間隔隔開的絕緣部組成的分布絕緣層，其位于所述u型氮化物半導(dǎo)體層疊層而成的多層結(jié)構(gòu)內(nèi)部或/和所述多層結(jié)構(gòu)與所述n型層之間。
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