[發(fā)明專利]應(yīng)變層的生長(zhǎng)方法以及帶有應(yīng)變層的襯底

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310721032.6
• 申請(qǐng)日: 2013-12-24
• 公開（公告）號(hào): CN103745915A
• 公開（公告）日: 2014-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏星;母志強(qiáng);薛忠營(yíng);狄增峰;方子韋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海新傲科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218
• 代理人: 孫佳胤;翟羽

1.一種應(yīng)變層的生長(zhǎng)方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供襯底，所述襯底包括支撐層，支撐層表面的埋層以及埋層表面的頂層半導(dǎo)體層；

在頂層半導(dǎo)體層中形成貫通的腐蝕窗口；

在頂層半導(dǎo)體層的腐蝕窗口處形成橋接條，所述橋接條的兩端均與頂層半導(dǎo)體層表面連接，所述橋接條包括上電極層、下電極層以及夾在上電極層和下電極層之間的壓電材料層；

通過腐蝕窗口腐蝕埋層，以使橋接條和部分的頂層半導(dǎo)體層懸空；

在所述上電極層和下電極層之間施加電壓，使所述壓電材料層發(fā)生形變，從而使懸空的頂層半導(dǎo)體層發(fā)生應(yīng)變。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)變層的生長(zhǎng)方法，其特征在于，所述頂層半導(dǎo)體層的材料選自于鍺、硅以及III-V族化合物半導(dǎo)體中的任意一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)變層的生長(zhǎng)方法，其特征在于，所述壓電材料層是單層或者多層結(jié)構(gòu)，每一層的材料各自獨(dú)立地選自于ZnO、AIN、PbTiO3、(Pb,La)TiO₃、Pb(Zr,Ti)O₃中的任意一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)變層的生長(zhǎng)方法，其特征在于，生長(zhǎng)壓電材料層的方法選自于溶膠-凝膠法，物理沉積，化學(xué)沉積和化學(xué)溶液沉積法中的任意一種。

5.一種帶有應(yīng)變層的襯底，包括支撐層，支撐層表面的埋層以及埋層表面的頂層半導(dǎo)體層，其特征在于，所述頂層半導(dǎo)體層和埋層中具有一貫通的窗口，所述窗口一側(cè)的埋層內(nèi)陷以使頂層半導(dǎo)體層懸空，在頂層半導(dǎo)體層的窗口處設(shè)置一橋接條，所述橋接條的一端與頂層半導(dǎo)體層懸空部分的表面連接，另一端與懸空部分在窗口中的相對(duì)側(cè)表面連接，所述橋接條包括上電極層、下電極層以及夾在上電極層和下電極層之間的壓電材料層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的帶有應(yīng)變層的襯底，其特征在于，所述頂層半導(dǎo)體層的材料選自于鍺、硅以及III-V族化合物半導(dǎo)體中的任意一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的帶有應(yīng)變層的襯底，其特征在于，所述壓電材料層是單層或者多層結(jié)構(gòu)，每一層的材料各自獨(dú)立地選自于ZnO、AIN、PbTiO3、(Pb,La)TiO₃、Pb(Zr,Ti)O₃中的任意一種。