[發(fā)明專利]49S石英晶體諧振器的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310721025.6 | 申請(qǐng)日: | 2013-12-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103701424A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-04-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 田峰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 珠海東精大電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H03H3/02 | 分類號(hào): | H03H3/02 |
| 代理公司: | 廣州市紅荔專利代理有限公司 44214 | 代理人: | 王賢義 |
| 地址: | 519060 廣東省珠*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 49 石英 晶體 諧振器 制備 方法 | ||
1.一種49S石英晶體諧振器的制備方法,其特征在于:它包括以下步驟:
通過(guò)研磨機(jī)對(duì)石英晶片進(jìn)行研磨;
根據(jù)實(shí)際情況計(jì)算出返回頻率,根據(jù)返回頻率得出合適的腐蝕頻率后,利用酸性溶液對(duì)研磨后的石英晶片進(jìn)行腐蝕;
在低真空條件下,采用氮離子對(duì)石英晶片的表面進(jìn)行轟擊,清潔石英晶片的表面;
通過(guò)石英晶片的腐蝕頻率和晶體諧振器頻率差來(lái)確定膜層厚度之后進(jìn)行鍍膜,形成引出電極,并使其頻率達(dá)到規(guī)定范圍;
將鍍膜后的石英晶片裝在基座上,點(diǎn)上導(dǎo)電膠并高溫固化;
使用干式清洗裝置對(duì)石英晶片上的異物進(jìn)行進(jìn)一步掃除。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的49S石英晶體諧振器的制備方法,其特征在于:所述方法還包括:
采用氬離子轟擊晶體表面的電極,將多余的膜層材料打下來(lái);
將基座與外殼放置在充滿氮?dú)獾沫h(huán)境中進(jìn)行封焊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的49S石英晶體諧振器的制備方法,其特征在于:所述步驟h中的封焊方式為電阻焊或滾邊焊或玻璃焊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的49S石英晶體諧振器的制備方法,其特征在于:所述步驟b與所述步驟c之間還包括用清水對(duì)腐蝕過(guò)的石英晶片進(jìn)行清洗并烘干的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的49S石英晶體諧振器的制備方法,其特征在于:所述步驟b中的返回頻率為Δ=2*ρe*ζe/ρ*?Tf,式中;ρe為電極金屬的密度、ζe單面電極的厚度、ρ為水晶的密度、?Tf為腐蝕后石英片的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的49S石英晶體諧振器的制備方法,其特征在于:所述步驟b中的酸性溶液為HF溶液或NH4HF2溶液中的至少一種,所述酸性溶液的工作溫度為65℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的49S石英晶體諧振器的制備方法,其特征在于:所述步驟c中的低真空條件是指1pa~2pa。
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