[發明專利]壓電材料、壓電元件和電子裝置有效
| 申請號: | 201310718904.3 | 申請日: | 2013-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN103910525A | 公開(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發明(設計)人: | 渡邊隆之;村上俊介;古田達雄 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | C04B35/49 | 分類號: | C04B35/49;C04B35/622 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 羅聞 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 壓電 材料 元件 電子 裝置 | ||
1.一種壓電材料,所述壓電材料包括:
包含由以下通式(1)表示的鈣鈦礦型金屬氧化物的主要成分;
作為第一副成分的Mn;
作為第二副成分的Li;和
作為第三副成分的Bi,
其中Mn含量相對于100重量份的金屬氧化物以金屬計是0.04重量份以上且0.36重量份以下,Li含量α相對于100重量份的金屬氧化物以金屬計是0.0013重量份以上且0.0280重量份以下,Bi含量β相對于100重量份的金屬氧化物以金屬計是0.042重量份以上且0.850重量份以下,含量α、β滿足0.5≤(α·MB)/(β·ML)≤1(其中ML表示Li的原子量,MB表示Bi的原子量)
(Ba1-xCax)a(Ti1-y-zZrySnz)O3(1)(其中,x、y、z、a滿足0.09≤x≤0.30,0.25≤y≤0.074,0≤z≤0.02,0.986≤a≤1.02)。
2.根據權利要求1所述的壓電材料,進一步包括第四副成分,所述第四副成分包含Si和B的至少一種,其中所述第四副成分的含量相對于100重量份的由通式(1)表示的金屬氧化物以金屬計是0.001重量份以上且4.000重量份以下。
3.根據權利要求1或2所述的壓電材料,其中α、β滿足0.19<2.15α+1.11β<1。
4.根據權利要求1或2所述的壓電材料,其中通式(1)中的x、y和z滿足y+z≤(11x/14)-0.037。
5.根據權利要求1或2所述的壓電材料,其中在-60℃以上且100℃以下的溫度范圍內在壓電材料中不發生相變。
6.一種壓電元件,包括:
第一電極,
壓電材料部分,和
第二電極,
其中所述壓電材料部分包含根據權利要求1所述的壓電材料。
7.一種多層壓電元件,包括:
壓電材料層,和
包括內部電極的電極層,
其中所述壓電材料層和所述電極層交替堆疊,且所述壓電材料層包含根據權利要求1所述的壓電材料。
8.根據權利要求7所述的多層壓電元件,其中所述內部電極包含Ag和Pd,使得Ag重量含量M1與Pd重量含量M2的重量比M1/M2滿足0.25≤M1/M2≤4.0。
9.根據權利要求7所述的多層壓電元件,其中所述內部電極包含Ni和Cu的至少一種。
10.一種液體排出頭,包括:
液體室,所述液體室包括振動單元,所述振動單元包括根據權利要求6所述的壓電元件或根據權利要求7所述的多層壓電元件;和
排出口,所述排出口與所述液體室連通。
11.一種液體排出裝置,包括:
轉印介質安裝單元;和
根據權利要求10所述的液體排出頭。
12.一種超聲波馬達,包括:
振動構件,所述振動構件包括根據權利要求6所述的壓電元件或根據權利要求7所述的多層壓電元件;和
移動構件,所述移動構件與所述振動構件接觸。
13.一種光學裝置,所述光學裝置包括驅動單元,所述驅動單元包括根據權利要求12所述的超聲波馬達。
14.一種包括振動構件的振動裝置,所述振動構件包括設置在振動板上的根據權利要求6所述的壓電元件或根據權利要求7所述的多層壓電元件。
15.一種包括振動單元的灰塵去除裝置,所述振動單元包括根據權利要求14所述的振動裝置。
16.一種圖像拾取裝置,包括:
根據權利要求15所述的灰塵去除裝置;和
圖像拾取元件單元,
其中所述灰塵去除裝置包括設置在所述圖像拾取元件單元的光接收表面側上的振動板。
17.一種包括壓電聲學組件的電子裝置,所述壓電聲學組件包括根據權利要求6所述的壓電元件或根據權利要求7所述的多層壓電元件。
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