[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310718064.0
• 申請日: 2013-12-23
• 公開（公告）號: CN103681489A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 崔承鎮(zhèn);金熙哲;宋泳錫;劉圣烈
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G03F7/00
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 李迪

1.一種陣列基板的制造方法，包括：

第一道掩膜工序，所述第一道掩膜工序用于形成所述陣列基板中薄膜晶體管的源極、漏極、有源層及像素電極，其中所述有源層和所述像素電極同層設(shè)置于基板上方，所述源極和漏極位于所述有源層上方；

第二道掩膜工序，在所述第二道掩膜工序中，形成覆蓋所述薄膜晶體管的源極、漏極、有源層及所述像素電極的絕緣層，并在所述絕緣層上形成開口，所述開口位于所述漏極與所述像素電極交界處上方；

第三道掩膜工序，在所述第三道掩膜工序中，形成位于所述源極和漏極之間的、所述絕緣層上方的柵極，并在所述開口中形成接觸電極，用于使所述漏極與所述像素電極電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法，其中所述第一道掩膜工序采用由三種色調(diào)構(gòu)成的灰度掩膜板，所述灰度掩膜板在待形成像素電極的區(qū)域具有第一灰度，在待形成薄膜晶體管溝道的區(qū)域具有第二灰度，在待形成源極和漏極的區(qū)域具有第三灰度，其中第一灰度小于第二灰度，第二灰度小于第三灰度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法，其中所述有源層和所述像素電極由同一金屬氧化物層形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述方法，其中所述金屬氧化物為IGZO或ITZO或兩者的混合物。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述方法，其中所述第一道掩膜工序包括：

在基板上依次形成金屬氧化物層和源漏金屬層；

在所述源漏金屬層上形成第一光刻膠層；

采用所述灰度掩膜板對所述第一光刻膠層進行曝光、顯影后的第一光刻膠層在待形成像素電極的區(qū)域具有第一厚度，在待形成薄膜晶體管溝道的區(qū)域具有第二厚度，在待形成源極和漏極的區(qū)域具有第三厚度，其中第一厚度小于第二厚度，第二厚度小于第三厚度；

蝕刻掉未覆蓋有第一光刻膠層的金屬氧化物層和源漏金屬層；

將曝光顯影后的第一光刻膠層整體上去除第一厚度的厚度，暴露出待形成像素電極的區(qū)域；

蝕刻掉待形成像素電極的區(qū)域內(nèi)的源漏金屬層，以暴露出其下方的金屬氧化物層；

對暴露出的金屬氧化物層進行等離子處理，以形成像素電極；

再將第一光刻膠層整體上去除第二厚度減去第一厚度的厚度，以暴露出待形成薄膜晶體管溝道的區(qū)域；

蝕刻掉暴露出的源漏金屬層，從而形成薄膜晶體管的源極和漏極；

去除剩余的第一光刻膠層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述方法，其中所述等離子處理的工藝與所述將第一光刻膠層整體上去除第二厚度減去第一厚度的厚度的工藝同時進行。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法，其中所述第二道掩膜工序包括：

形成覆蓋所述薄膜晶體管的源極、漏極、有源層及所述像素電極的絕緣層；

在所述絕緣層上形成第二光刻膠層；

采用單色調(diào)掩膜板對所述第二光刻膠層進行曝光，以去除所述漏極與所述像素電極交界處上方的第二光刻膠層；

對暴露出的所述絕緣層進行蝕刻，以暴露出其下方的漏極和像素電極的一部分，從而在所述絕緣層上形成位于所述漏極與所述像素電極交界處上方的開口；

去除剩余的第二光刻膠層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法，其中所述第三道掩膜工序包括：

在整個基板上形成柵極金屬層，以覆蓋所述絕緣層并填充所述開口；

在所述柵極金屬層上形成第三光刻膠層；

采用單色調(diào)掩膜板對所述第三光刻膠層進行曝光，以僅保留待形成柵極的區(qū)域及所述開口之上的第三光刻膠層；

對暴露出的所述柵極金屬層進行蝕刻，并去除剩余的第三光刻膠層，以形成柵極及電連接所述漏極和所述像素電極的接觸電極。

9.一種陣列基板，包括；

基板；

形成在所述基板上方的有源層和像素電極，所述有源層和所述像素電極同層設(shè)置；

形成在所述有源層上方的源極和漏極；

覆蓋所述基板、源極、漏極、有源層和像素電極的絕緣層，所述絕緣層在所述漏極和所述像素電極交界處上方具有開口；

形成在所述源極和漏極之間的、所述絕緣層上方的柵極；

形成在所述開口內(nèi)以電連接所述漏極和所述像素電極的接觸電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其中所述有源層和所述像素電極由同一金屬氧化物層形成。