[發(fā)明專利]晶體管的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310713229.5
• 申請日: 2013-12-20
• 公開（公告）號: CN104733389B
• 公開（公告）日: 2018-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙杰
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底上形成有第一柵極、位于所述第一柵極兩側(cè)基底中的第一源極、第一漏極；其中，在所述基底上形成第一柵極時，在所述基底上形成第二柵極；

在所述第一源極、第一漏極上形成金屬硅化物；

形成刻蝕阻擋層和位于所述刻蝕阻擋層上的第一介質(zhì)層，所述刻蝕阻擋層覆蓋所述基底、第一柵極和金屬硅化物，所述第一介質(zhì)層高于所述第一柵極上的刻蝕阻擋層部分；

去除高出所述第一柵極上表面的第一介質(zhì)層和刻蝕阻擋層，至所述第一柵極上表面和第一介質(zhì)層上表面持平；

在所述第一介質(zhì)層上形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層覆蓋第一柵極；

刻蝕所述第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層和刻蝕阻擋層，形成連通金屬硅化物的接觸孔，在刻蝕所述刻蝕阻擋層的條件下，刻蝕阻擋層相比金屬硅化物具有高刻蝕選擇比，不會刻蝕金屬硅化物。

2.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一柵極為前柵工藝形成的柵極。

3.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一柵極為后柵工藝形成的金屬柵極。

4.如權(quán)利要求3所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述金屬柵極、第一源極和第一漏極的形成方法包括：

在所述基底上形成偽柵極；

在所述偽柵極兩側(cè)基底中形成第一源極、第一漏極；

在所述基底上形成第三介質(zhì)層，所述第三介質(zhì)層覆蓋所述基底和偽柵極，所述第三介質(zhì)層上表面和偽柵極上表面持平；

去除所述偽柵極形成偽柵溝槽，之后在所述偽柵溝槽中形成金屬柵極；

去除所述第三介質(zhì)層。

5.如權(quán)利要求4所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述金屬硅化物的形成方法包括：

在形成所述第一源極、第一漏極后，在所述第一源極、第一漏極上形成硅帽，所述第三介質(zhì)層覆蓋所述硅帽；

在去除所述第三介質(zhì)層后，對所述硅帽進(jìn)行金屬硅化處理形成金屬硅化物。

6.如權(quán)利要求4所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述金屬硅化物的形成方法包括：

在去除所述第三介質(zhì)層后，在所述第一源極、第一漏極上形成硅帽；

對所述硅帽進(jìn)行金屬硅化處理形成金屬硅化物。

7.如權(quán)利要求4所述的晶體管的形成方法，其特征在于，形成所述第一源極、第一漏極的方法包括：

在所述偽柵極兩側(cè)基底中形成凹槽；

在所述凹槽中外延生長半導(dǎo)體材料層；

所述半導(dǎo)體材料層具有摻雜，具有摻雜的半導(dǎo)體材料層分別作為第一源極、第一漏極。

8.如權(quán)利要求7所述的晶體管的形成方法，其特征在于，在所述凹槽中外延生長半導(dǎo)體材料層后，對所述半導(dǎo)體材料層進(jìn)行離子注入，或者在外延生長半導(dǎo)體材料層時，對所述半導(dǎo)體材料層進(jìn)行原位離子注入。

9.如權(quán)利要求7所述的晶體管的形成方法，其特征在于，當(dāng)所述晶體管為P型晶體管，所述凹槽為sigma形凹槽；當(dāng)所述晶體管為N型晶體管，所述凹槽為U形凹槽。

10.如權(quán)利要求7所述的晶體管的形成方法，其特征在于，當(dāng)所述晶體管為P型晶體管，所述半導(dǎo)體材料為鍺硅；當(dāng)所述晶體管為N型晶體管，所述半導(dǎo)體材料為碳硅。

11.如權(quán)利要求5或6所述的晶體管的形成方法，其特征在于，形成所述硅帽的方法為外延生長。

12.如權(quán)利要求5或6所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述硅帽的厚度范圍為

13.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述金屬硅化物中的金屬為鎳、鈷或鈦。