[發(fā)明專利]一種液晶聚合物的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310711951.5
• 申請日: 2013-12-19
• 公開（公告）號: CN103804666A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李聞達(dá);肖中鵬;曹民;曾祥斌;姜蘇俊;周英輝
• 申請（專利權(quán)）人: 金發(fā)科技股份有限公司
• 主分類號: C08G63/60
• 分類號: C08G63/60;C08G63/80;C08K5/526;C08K5/524;C09K19/38
• 代理公司: 廣州致信偉盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44253
• 代理人: 伍嘉陵

1.一種液晶聚合物的制備方法，所述液晶聚合物包含40-80mol%的衍生自對羥基苯甲酸的結(jié)構(gòu)單元（Ⅰ）、10～30mol％的結(jié)構(gòu)單元（Ⅱ）和10～30mol％的結(jié)構(gòu)單元（Ⅲ），其特征在于，包括以下步驟：在?；瘎┖蛠喠姿狨ヮ惢衔锏拇嬖谙拢狗謩e含有下列式（Ⅰ）、（Ⅱ）和（Ⅲ）表示的結(jié)構(gòu)單元的單體進(jìn)行酰化反應(yīng)和酯交換反應(yīng)制備得到液晶聚合物；?

????????????????????????????????????????????????（Ⅰ）

（Ⅱ）

?（Ⅲ）

?其中，Ar₁，Ar₂表示含有至少一個芳環(huán)的二價基團(tuán)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶聚合物的制備方法，其特征在于，所述液晶聚合物包括如下重復(fù)結(jié)構(gòu)單元：

衍生自對羥基苯甲酸的結(jié)構(gòu)單元（Ⅰ），

（Ⅰ）

衍生自4,4’-聯(lián)苯酚的結(jié)構(gòu)單元（Ⅳ），

?（Ⅳ）

?衍生自對苯二甲酸的結(jié)構(gòu)單元（Ⅴ），

?（Ⅴ）

以及衍生自間苯二甲酸的結(jié)構(gòu)單元（Ⅵ），

（Ⅵ）

其中，基于全部結(jié)構(gòu)單元，所述衍生自對羥基苯甲酸的結(jié)構(gòu)單元（Ⅰ）為40～80mol％，衍生自4,4’-聯(lián)苯酚的結(jié)構(gòu)單元（Ⅳ）為10～30mol％，衍生自對苯二甲酸和衍生自間苯二甲酸的結(jié)構(gòu)單元（Ⅴ）和（Ⅵ）的總量為10～30mol％，所述結(jié)構(gòu)單元（Ⅰ）、（Ⅳ）、（Ⅴ）和（Ⅵ）的摩爾百分?jǐn)?shù)總和為100；

其中，所述衍生自間苯二甲酸的結(jié)構(gòu)單元（Ⅵ）與衍生自對苯二甲酸的結(jié)構(gòu)單元（Ⅴ）的摩爾比是從0至0.5；所述結(jié)構(gòu)單元（Ⅳ）的摩爾數(shù)等于結(jié)構(gòu)單元（Ⅴ）與結(jié)構(gòu)單元（Ⅵ）的摩爾數(shù)總和。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶聚合物的制備方法，其特征在于，所述亞磷酸酯類化合物為亞磷酸二甲酯、亞磷酸二乙酯、亞磷酸二丙酯、亞磷酸三苯酯、亞磷酸甲·乙酯、亞磷酸甲·苯酯、三（2,4-二叔丁基苯基）亞磷酸酯、2,2’-亞乙基雙（4,6-二叔丁基苯基）氟代亞磷酸酯、四（2,4-二叔丁基苯基）-4，4’-聯(lián)苯基雙亞磷酸酯、雙[2-甲基-4,6-二（1,1’-二甲基乙基）苯酚]磷酸乙基酯、四（2,4-二叔丁基八烷氧基-4,4-聯(lián)苯基）磷酸酯、（2,4,6-三叔丁基苯基-2-丁基-2-乙基）-1,3-丙二醇亞磷酸酯、2,2’-亞甲基雙（4,6-二叔丁基苯基）辛基亞磷酸酯中的任一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶聚合物的制備方法，其特征在于，所述亞磷酸酯類化合物為亞磷酸三苯酯、三（2,4-二叔丁基苯基）亞磷酸酯、2,2’-亞乙基雙（4,6-二叔丁基苯基）氟代亞磷酸酯、四（2,4-二叔丁基苯基）-4，4’-聯(lián)苯基雙亞磷酸酯、四（2,4-二叔丁基八烷氧基-4,4-聯(lián)苯基）磷酸酯、（2,4,6-三叔丁基苯基-2-丁基-2-乙基）-1,3-丙二醇亞磷酸酯中的任一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶聚合物的制備方法，其特征在于，基于100重量份液晶聚合物，所述亞磷酸酯類化合物的用量為0.001～0.2重量份。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶聚合物的制備方法，其特征在于，所述亞磷酸酯類化合物在?；磻?yīng)結(jié)束后加入。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶聚合物的制備方法，其特征在于，所述液晶聚合物在比熔點(diǎn)

高10～30℃的溫度下，在剪切速率為1000秒^-1時的剪切粘度是在100Pa·s以下。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶聚合物的制備方法，其特征在于，所述液晶聚合物的熔點(diǎn)為310～380℃，優(yōu)選為320～370℃。