[發明專利]非周期陣列天線設計方法有效
| 申請號: | 201310704401.0 | 申請日: | 2013-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN103646144B | 公開(公告)日: | 2017-03-08 |
| 發明(設計)人: | 陳蕾;張天齡;余劍峰;王超;史小衛 | 申請(專利權)人: | 西安電子科技大學 |
| 主分類號: | G06F17/50 | 分類號: | G06F17/50;H01Q21/00 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205 | 代理人: | 劉芳 |
| 地址: | 710071 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 周期 陣列 天線 設計 方法 | ||
1.一種非周期陣列天線設計方法,其特征在于,包括:
建立非周期陣列天線單元模型組,所述非周期陣列天線單元模型組用于作為非周期陣列天線中天線單元的模板組合,所述非周期陣列天線單元模型組中包括至少兩個天線單元模型,其中每個天線單元模型與相鄰的天線單元模型的間距均不同,并且每個天線單元模型的方向圖和有源電壓駐波比均滿足設計要求;
建立初始非周期陣列天線模型,所述初始非周期陣列天線模型中包括至少三個天線單元;
對所述初始非周期陣列天線模型依次循環使用優化算法綜合優化、根據優化結果更新所述非周期陣列天線模型并使用所述非周期陣列天線單元模型組中的天線單元模型更新天線單元、全波分析處理,當在一次循環處理過程中使用所述優化算法得到的方向圖和使用全波分析得到的方向圖誤差不超過預設閾值時,得到非周期陣列天線的設計結果。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述建立非周期陣列天線單元模型組,所述非周期陣列天線單元模型組用于作為非周期陣列天線中天線單元的模板組合,所述非周期陣列天線單元模型組中包括至少兩個天線單元模型,其中每個天線單元模型與相鄰的始天線單元模型的間距均不同,并且每個天線單元模型的方向圖和有源電壓駐波比均滿足設計要求,包括:
步驟A:建立初始天線單元模型,所述初始天線單元模型的方向圖和電壓駐波比滿足設計要求;
步驟B:建立初始非周期陣列天線單元模型組,所述初始非周期陣列天線單元模型組中包括至少兩個初始天線單元模型,其中每個初始天線單元模型與相鄰的初始天線單元模型的間距均不同;
步驟C:調整所述初始非周期陣列天線單元模型組中天線單元模型的模型參數,使所述初始非周期陣列天線單元模型組中每一天線單元模型的有源電壓駐波比均滿足設計要求,得到所述非周期陣列天線單元模型組;
所述建立初始非周期陣列天線模型,所述初始非周期陣列天線模型中包括至少三個天線單元,包括:
步驟D:建立所述初始非周期陣列天線模型,所述初始非周期陣列天線模型中包括至少三個由所述初始天線單元模型組成的天線單元;
所述對所述初始非周期陣列天線模型依次循環使用優化算法綜合優化、根據優化結果更新所述非周期陣列天線模型并使用所述非周期陣列天線單元模型組中的天線單元模型更新天線單元、全波分析處理,當在一次循環處理過程中使用所述優化算法得到的方向圖和使用全波分析得到的方向圖誤差不超過預設閾值時,得到非周期陣列天線的設計結果,包括:
步驟E:使用優化算法對所述初始非周期陣列天線模型中天線單元的間距進行綜合優化,得到優化后的非周期陣列天線模型,以使所述優化后的非周期陣列天線模型的方向圖滿足設計要求;
步驟F:根據所述優化后的非周期陣列天線模型中天線單元與相鄰的天線單元的間距,將所述優化后的非周期陣列天線模型中的每一天線單元替換為所述非周期陣列天線單元模型組中的天線單元模型,得到更新后的非周期陣列天線模型;
步驟G:對所述更新后的非周期陣列天線模型進行全波分析,若所述全波分析得到的方向圖與所述優化算法得到的方向圖誤差超過預設閾值,則再次對所述更新后的非周期陣列天線模型依次進行所述步驟E、步驟F和步驟G的處理,直到所述全波分析得到的方向圖與所述優化算法得到的方向圖誤差不超過預設閾值;
步驟H:將所述更新后的非周期陣列天線模型作為非周期陣列天線設計結果。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安電子科技大學,未經西安電子科技大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310704401.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





