[發(fā)明專利]半導體器件和用于制造半導體器件的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310704314.5 | 申請日: | 2013-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN103985709B | 公開(公告)日: | 2017-09-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | V.卡波迪西;M.丁克爾;U.施馬爾茨鮑爾;M.聰?shù)聽?/a> | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/04 | 分類號: | H01L27/04;H01L21/77 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 馬麗娜,胡莉莉 |
| 地址: | 德國瑙伊比*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 用于 制造 方法 | ||
技術領域
實施例涉及基于半導體的電路并且具體涉及半導體器件和用于制造半導體器件的方法。
背景技術
在制造過程期間半導體器件經(jīng)常被暴露于高溫和變化的壓強。而且在薄晶片上通過鋸割方法分離芯片期間,存在無意地在芯片的硅側壁處產生輕微預損傷的風險。在這樣的位置處,由于另外的溫度負載和應力負載,在封裝芯片的進一步處理期間在硅內可能出現(xiàn)長距離裂縫的發(fā)展或傳播。這種裂縫可能導致故障或者擊穿。希望避免這種電擊穿。
發(fā)明內容
一種根據(jù)實施例的半導體器件包括:半導體襯底,其包括具有多邊形幾何形狀的主表面,和在半導體襯底上的主區(qū)域內制造的主電路。主電路可操作用于執(zhí)行電主要功能。主區(qū)域在半導體襯底的主表面上延伸,保留開放在半導體襯底的主表面的多邊形幾何形狀的角處的至少一個角區(qū)。角區(qū)在角處開始沿著半導體襯底的邊緣延伸至少300μm。
實施例可以基于發(fā)現(xiàn)在制造過程期間在半導體襯底內由不同種類的負載引起的裂縫可以經(jīng)常在半導體器件的角的附近到達半導體的主表面。可以通過從主電路的元件保留開放角區(qū)來避免半導體器件的故障和/或擊穿以便半導體器件的主要電功能明顯地更少被這些裂縫危害。這樣,也可以改善可靠性和/或生產產量。
在一些實施例中,半導體器件可以包括在半導體襯底上的至少一個角區(qū)內制造的電測試電路。電測試電路可操作用于能夠實現(xiàn)電測試功能。這樣,角區(qū)的空間可被用于測試測量(例如導通狀態(tài)電阻)的結構。然而,在角區(qū)內的裂縫可能不導致主電路的故障或擊穿使得半導體器件可以仍是可用的。此外,在這種情況下角區(qū)可以不是被浪費的空間。
在一些實施例中,在半導體襯底上的角區(qū)內制造的所有導電結構被電連接到半導體襯底或者被電隔離以便在半導體器件的操作狀態(tài)中導電結構中的每個包括基本上與半導體襯底相同的電勢或者是電浮動的。這樣,可以避免由裂縫引起的短路。
一些實施例涉及包括根據(jù)所描述的構思的半導體器件的功率半導體器件,其中主電路的至少一個有源元件包括高于10V的擊穿電壓。
附圖說明
設備和/或方法的一些實施例將在下面僅作為示例并且參照附圖被描述,其中
圖1示出半導體器件的示意鳥瞰圖;
圖2示出半導體器件的角區(qū)的示意圖示;
圖3示出半導體器件的示意鳥瞰圖;
圖4示出另一半導體器件的示意鳥瞰圖;
圖5示出角區(qū)的示意圖示;
圖6示出在半導體器件的半導體襯底上的角區(qū)內和主區(qū)域內的溝槽的示意圖示;
圖7示出半導體器件的晶體管的示意截面;和
圖8示出用于制作半導體器件的方法的流程圖。
具體實施方式
現(xiàn)在將參照其中一些示例實施例被示出的附圖來更完整地描述各種示例實施例。在圖中,為了清晰起見,線,層和/或區(qū)域的厚度可以被夸大。
因此,雖然示例實施例能夠有各種修改和替代形式,其實施例在圖中作為示例被示出并且將在本文被詳細地描述。然而,應該理解沒有旨在將示例實施例限制到公開的特定形式,而是相反,示例實施例將覆蓋落入本發(fā)明范圍內的所有修改,等同物,和替代。遍及各圖的描述,相似數(shù)字指的是相似或者類似的元件。
將理解的是當元件被提及為“連接”或“耦合”到另一元件時,其可以被直接地連接或者耦合到該另一元件或者可以存在中間元件。相比之下,當元件被提及為“直接連接”或者“直接耦合”到另一元件時,不存在中間元件。用來描述元件之間的關系的其它詞應以類似的方式被解釋(例如“在兩者之間”對比“直接在兩者之間”,“鄰近”對比“直接鄰近”等)。
本文使用的術語僅用于描述特定實施例的目的并且不旨在為示例實施例的限制。如本文使用的,單數(shù)形式“一”,“一個”和“這個”旨在也包括復數(shù)形式,除非上下文清楚地另外表明。將進一步理解當在本文使用時,術語“包含”,“含有”,“包括”和/或“含括”指明所述特征,整數(shù),步驟,操作,元件和/或部件的存在,但是不排除一個或多個其它特征,整數(shù),步驟,操作,元件,部件和/或其組的存在或加入。
除非另外定義,本文使用的所有術語(包括技術和科技術語)具有與由示例實施例屬于的領域的普通技術人員通常理解的相同的意思。將進一步理解到術語(例如在通常使用的字典中定義的術語)應被解釋為具有與其在相關領域的情況下的意思一致的意思并且將不被以理想化或過度正式的意義來被解釋,除非本文明確地這樣定義。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





