[發明專利]一種制備晶硅電池金屬電極的方法有效
| 申請號: | 201310701975.2 | 申請日: | 2013-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN103779431A | 公開(公告)日: | 2014-05-07 |
| 發明(設計)人: | 成文;楊曉生 | 申請(專利權)人: | 湖南紅太陽光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 長沙正奇專利事務所有限責任公司 43113 | 代理人: | 馬強 |
| 地址: | 410205 湖南省*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制備 電池 金屬電極 方法 | ||
1.一種制備晶硅電池金屬電極的方法,其特征在于,所述方法是通過激光器的激光束加熱處于激光器下方的漿料傳送帶上的漿料,使漿料通過漿料傳送帶的網孔轉移至漿料傳送帶下方的晶硅電池表面上,在晶硅電池表面沉積金屬電極。
2.如權利要求1所述方法,其特征在于,所述漿料傳送帶的網孔≥400目。
3.如權利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述漿料通過與漿料傳送帶連接的漿料存儲裝置涂覆于漿料傳送帶上。
4.如權利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法具體包括如下步驟:
(1)將計算機編輯好的金屬電極圖形導入激光器中;
(2)開啟漿料傳送帶,同時開啟漿料存儲裝置使漿料涂覆于漿料傳送帶上;
(3)將硅晶電池置于漿料傳送帶下方,并用激光器對準經過硅晶電池上方的漿料傳送帶;
(4)開啟激光器,激光器的激光束根據步驟(1)中被導入的金屬電極圖形,在經過硅晶電池上方的漿料傳送帶上方移動,漿料傳送帶上被激光束射到之處的漿料被瞬間加熱并通過漿料傳送帶的網孔轉移到處于漿料傳送帶下方的硅晶電池上,沉積出金屬電極;未被轉移的漿料由漿料傳送帶送回漿料存儲裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





