[發明專利]提高感光密度的光敏器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310700509.2
• 申請日: 2013-12-18
• 公開（公告）號: CN103681899A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 陳杰
• 申請（專利權）人: 無錫中微晶園電子有限公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/18
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所 32104
• 代理人: 曹祖良;劉海

1.一種提高感光密度的光敏器件，包括襯底（1），襯底（1）上表面設置第一氧化層（2），其特征是：在所述第一氧化層（2）上設置凹槽（6），凹槽（6）由第一氧化層（2）的上表面延伸至襯底（1）的上表面；在所述凹槽（6）底部的襯底（1）上刻蝕形成光敏面（5），光敏面（5）為凹凸面。

2.如權利要求1所述的提高感光密度的光敏器件，其特征是：所述襯底（1）為硅襯底。

3.一種提高感光密度的光敏器件的制造方法，其特征是，包括以下工藝步驟：

（1）提供襯底（1），在襯底（1）上熱氧化SiO₂形成第一氧化層（2），第一氧化層（2）的厚度為800～1000nm；

（2）在第一氧化層（2）上涂布光刻膠，并選擇性掩蔽和腐蝕光刻膠，在第一氧化層（2）上形成刻蝕窗口，腐蝕刻蝕窗口，露出刻蝕窗口底部相對應的襯底（1），從而在第一氧化層（2）上得到凹槽（6）；

（3）在凹槽（6）底部的襯底（1）上熱氧化SiO₂形成第二氧化層（3），第二氧化層（3）的厚度為10～40nm；

（4）在第一氧化層（2）和第二氧化層（3）上淀積多晶硅層（4），多晶硅層（4）的厚度為150～500nm，并采用POCl₃對多晶硅層（4）進行摻雜；

（5）對多晶硅層（4）進行等離子體反應刻蝕，在凹槽（6）底部的襯底（1）上得到凹凸不平的光敏面（5）。

4.如權利要求3所述的提高感光密度的光敏器件的制造方法，其特征是：步驟（5）中，所述刻蝕壓力為50mt，功率為550W，刻蝕氣體為30?sccm的HBr和30?sccm的Cl₂，下電極溫度為30℃。

5.如權利要求3所述的提高感光密度的光敏器件的制造方法，其特征是：所述多晶硅層（4）的摻雜方塊電阻為23Ω/□。