[發明專利]基于量子點的白光LED器件及其制作方法有效
| 申請號: | 201310699961.1 | 申請日: | 2013-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN104733593B | 公開(公告)日: | 2019-07-23 |
| 發明(設計)人: | 萬垂銘;陳海英;許朝軍;姜志榮;肖國偉 | 申請(專利權)人: | 廣東晶科電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/50 | 分類號: | H01L33/50 |
| 代理公司: | 廣州新諾專利商標事務所有限公司 44100 | 代理人: | 肖云 |
| 地址: | 511458 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 量子 白光 led 器件 及其 制作方法 | ||
1.一種基于量子點的白光LED器件,其特征在于:包括LED芯片、涂覆在所述LED芯片上的光轉換層以及承載所述LED芯片的載體;
所述LED芯片倒裝于所述載體內,所述LED芯片包括襯底、覆蓋在所述襯底上的N型氮化鎵、部分覆蓋在所述N型氮化鎵上的量子阱發光層、覆蓋在所述量子阱發光層上的P型氮化鎵、部分覆蓋在所述N型氮化鎵上的N接觸層、覆蓋在所述P型氮化鎵上的P接觸層;所述襯底上設置有多個圖形窗口,所述光轉換層中設置有發光材料,所述發光材料包括具有不同發光顏色的量子點,所述量子點一一對應設置有透明高分子材料,所述量子點一一對應覆蓋于所述圖形窗口內,所述圖形窗口間相互獨立設置;
所述載體包括基板和設置于所述基板外部的保護透鏡,所述基板上對應所述P接觸層及N接觸層分別設置有P電極凸點和N電極凸點,所述基板內對應所述P電極凸點和所述N電極凸點分別設有P焊盤及N焊盤,所述P電極凸點和所述N電極凸點分別通過基板上設置的第一通孔和第二通孔與所述P焊盤和所述N焊盤互通,所述基板底部還設置有散熱焊盤。
2.如權利要求1所述的基于量子點的白光LED器件,其特征在于:所述量子點為II-VI族或III-V族元素組成的半導體化合物中的一種或幾種,其尺寸小于10nm。
3.如權利要求1所述的基于量子點的白光LED器件,其特征在于:所述透明高分子材料為丙烯酸酯類樹脂、有機硅氧烷樹脂、丙烯酸酯改性聚氨酯、丙烯酸脂、改性有機硅樹脂或環氧樹脂中的一種。
4.如權利要求1所述的基于量子點的白光LED器件,其特征在于:所述圖形窗口為設置在所述襯底表面的多個矩形平面,所述矩形平面為長方形平面或正方形平面。
5.如權利要求1所述的基于量子點的白光LED器件,其特征在于:所述圖形窗口為蝕刻在所述襯底上的多個凹槽。
6.一種用于上述權利要求1-5任一項所述的白光LED器件的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
在襯底上通過金屬有機化學氣相沉積法制作外延片;
在所述外延片上加工制作LED芯片P-N結的兩個電極;
在所述襯底上設置劃分多個相互獨立設置的圖形窗口;
在所述襯底上涂覆光轉換層,所述光轉換層中設置有發光材料,所述發光材料包括具有不同發光顏色的量子點,所述量子點一一對應設置有透明高分子材料,所述量子點一一對應覆蓋于所述圖形窗口內;
加工制作成單顆的LED芯片,將所述LED芯片倒裝于載體內。
7.如權利要求6所述的基于量子點的白光LED器件的制作方法,其特征在于:所述圖形窗口為設置在所述襯底表面的多個矩形平面。
8.如權利要求7所述的基于量子點的白光LED器件的制作方法,其特征在于:所述圖形窗口為蝕刻在所述襯底上的多個凹槽,或者是相互間隔排列的所述矩形平面和所述凹槽。
9.如權利要求6所述的基于量子點的白光LED器件的制作方法,其特征在于:襯底上涂覆的光轉換層中發光材料的顏色順序排布如下:紅-綠-藍-黃依顏色順序作為陣列呈周期性分布。
10.如權利要求6所述的基于量子點的白光LED器件的制作方法,其特征在于:襯底上涂覆的光轉換層中的不同發光顏色的量子點的發光光譜在460-780nm內且連續。
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