[發明專利]一種新型半導體P、N類型非接觸測試裝置

在審

• 申請號: 201310699473.0
• 申請日: 2013-12-19
• 公開（公告）號: CN103698681A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 趙丹;顏友鈞;鄭鈺
• 申請（專利權）人: 江蘇瑞新科技股份有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 蘇州華博知識產權代理有限公司 32232
• 代理人: 何蔚

技術領域

本發明涉及半導體測試領域，尤其涉及一種新型半導體P、N類型非接觸測試裝置。

背景技術

由于半導體具有摻雜性可控導電特性的物理效應，使其具有熱敏性、光敏性、磁敏性、及電子放大、突變能力等特點，因此在非電量電測信息電子技術、電子光學成像技術、通信、固體信息儲存器等具有很高的實用價值。

不同電學類型的半導體材料具有不同的載流子特性，在應用中也有不同需求。現有檢測半導體材料的P、N類型大多使用接觸式冷熱探針法，極易損傷半導體材料以致造成隱性缺陷。

因此，亟需一種非接觸的測試半導體P、N類型的裝置。

發明內容

?本發明的目的是克服現有技術存在的缺陷，提供一種新型半導體P、N類型非接觸測試裝置。

實現本發明目的的技術方案是：一種新型半導體P、N類型非接觸測試裝置，包括：

傳感器，其輸入端與下述控制器連接，其輸出端與下述電荷放大器連接，用于激發半導體表面生成光生電荷并收集生成電荷信號傳送給電荷放大器；

電荷放大器，其輸出端與下述整形放大器連接，用于將接收的電荷信號進行放大生成放大電荷信號傳送給整形放大器；

整形放大器，其輸出端與下述控制器連接，用于將接收的放大電荷信號進行整形生成電平信號傳送給控制器；

控制器，其輸出端與所述傳感器輸入端、所述整形放大器輸出端連接，用于驅動所述傳感器、以及接收所述電平信號判斷半導體的P、N類型。?

?進一步的，所述傳感器包括殼體、以及設置于所述殼體內的紅外激發二極管和電荷感應電極，所述紅外激發二極管輸入端與所述控制器輸出端連接，所述電荷感應電極輸出端與所述電荷放大器輸入端連接。

進一步的，還包括第一LED燈和第二LED燈，所述第一LED燈和第二LED燈分別與所述控制器輸出端連接。

本發明具有積極的效果：本發明控制器驅動電路驅動傳感器激發半導體表面誘發產生微弱的光生電荷并生成相應的電荷信號，根據N型半導體為電子型載流子，表面受光的誘激下產生相反電勢的表面本征態，因此電荷感應電極生成一個脈動正電荷信號，而P型半導體為空穴型載流子，表面受光的誘激下產生相反電勢的表面本征態，因此電荷感應電極生成一個脈動負電荷信號；電荷放大器接收上述電荷信號進行放大生成放大電荷信號傳送給整形放大器；整形放大器接收放大電荷信號進行整形生成電平信號傳送給控制器由控制器判斷出半導體的P、N類型；本發明中采用紅外激發二極管在感應距離不超過0.15mm也可達到較高的準確度，不需要直接與半導體接觸。

附圖說明

為了使本發明的內容更容易被清楚地理解，下面根據具體實施例并結合附圖，對本發明作進一步詳細的說明，其中：圖1為本發明第一優選實施例的結構框圖；

圖2為本發明傳感器的結構示意圖；

圖3為本發明第二優選實施例的結構框圖。

其中：1、外殼，2、電荷感應電極，3、紅外激發二極管。

具體實施方式

實施例1

如圖1至圖2所示，本發明第一優選實施例提供一種新型半導體P、N類型非接觸測試裝置，包括：傳感器，其輸入端與控制器連接，其輸出端與電荷放大器連接，用于激發半導體表面生成光生電荷并收集生成電荷信號傳送給電荷放大器；

電荷放大器，其輸出端與整形放大器連接，用于將接收的電荷信號進行放大生成放大電荷信號傳送給整形放大器；

整形放大器，其輸出端與控制器連接，用于將接收的放大電荷信號進行整形生成電平信號傳送給控制器；

控制器，其輸出端與傳感器輸入端、整形放大器輸出端連接，用于驅動傳感器、以及接收電平信號判斷半導體的P、N類型。?

上述實施例中傳感器包括殼體1、以及設置于殼體1內的紅外激發二極管3和電荷感應電極2，紅外激發二極管3輸入端與紅外發射激勵脈沖驅動電路輸出端連接，電荷感應電極2輸出端與電荷放大器輸入端連接。

下面對本實施例的工作原理作進一步說明：1.控制器驅動紅外激發二極管3激發半導體表面誘發產生微弱的光生電荷；

2.電荷感應電極2采集到光生電荷并生成相應的電荷信號，根據N型半導體為電子型載流子，表面受光的誘激下產生相反電勢的表面本征態，因此電荷感應電極2生成一個脈動正電荷信號，而P型半導體為空穴型載流子，表面受光的誘激下產生相反電勢的表面本征態，因此電荷感應電極2生成一個脈動負電荷信號；

3.電荷放大器接收上述電荷信號進行放大生成放大電荷信號傳送給整形放大器；