[發(fā)明專利]鰭式場效應晶體管的形成方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201310698757.8
• 申請日: 2013-12-18
• 公開（公告）號: CN104733313A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發(fā)明（設計）人: 劉海龍
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/265
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于：包括：

提供半導體襯底；

刻蝕所半導體襯底，形成鰭片；

在所述半導體襯底上形成氧化物層，且所述氧化物層覆蓋所述鰭片；

刻蝕所述氧化物層，露出部分高度的鰭片，在露出部分的鰭片的側壁殘留有部分氧化物層；

向所述鰭片的側壁殘留的氧化物層內注入離子；

去除鰭片側壁注入離子的氧化物層。

2.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，離子注入的能量為1～10Kev，劑量為1×10¹⁴～1×10¹⁶cm^-2。

3.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述離子包括N、He或Ar。

4.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，離子注入的角度為與所述鰭片高度方向呈10～80°。

5.如權利要求4所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，離子注入角度為與所述鰭片高度方向呈30～60°。

6.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，刻蝕去除鰭片側壁注入離子的氧化物層的工藝為濕法刻蝕工藝。

7.如權利要求6所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝包括：采用氫氟酸水溶液作為刻蝕劑，所述氫氟酸水溶液的體積濃度為0.1%～1%，溫度為20～60℃。

8.如權利要求7所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的持續(xù)時間為10～60s。

9.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，去除鰭片側壁注入離子的氧化物層之后，進行退火工藝。

10.如權利要求9所述的鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，所述退火工藝的溫度為30℃～200℃，持續(xù)退火時間為10～60s。