[發明專利]一種集成電路及其制造方法

在審

• 申請號: 201310697533.5
• 申請日: 2013-12-17
• 公開（公告）號: CN104716136A
• 公開（公告）日: 2015-06-17
• 發明（設計）人: 黃河;洪中山;肖德元
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L21/77
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;趙禮杰

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體而言涉及一種集成電路及其制造方法。?

背景技術

在半導體技術領域中，射頻前端模塊（Radio?Frequency?Frond-End?Module，簡稱RF?FEM）是無線通信設備（例如手機、平板電腦等）中的關鍵組件。在現有技術中，射頻前端模塊（RF?FEM）通常由多個不同的芯片通過系統級封裝（SiP）實現。一般而言，射頻前端模塊（RF?FEM）通常包括功率放大器內核（Power?amplifier?core）、功率放大器控制器（PA?controller）、調諧器（Tuners）、射頻開關（RF?switch）、濾波器（Filters）、雙工機（Duplexer）等不同芯片以及包括包絡檢測（envelope?tracking）芯片在內的其他芯片。其中，功率放大器內核通常采用砷化鎵（GaAs）芯片或高電壓（HV）及功率（POWER）互補型金屬氧化物半導體（CMOS）芯片；功率放大器控制器通常采用CMOS芯片，調諧器通常采用射頻CMOS芯片，射頻開關通常采用絕緣體上硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SOI?MOS），濾波器通常采用射頻集成無源器件（RF?IPD），雙工機通常采用微機電系統（MEMS），而其他芯片（如包絡檢測芯片）通常采用CMOS芯片。?

然而，在現有技術中，射頻前端模塊（RF?FEM）由于由多個不同的芯片經過系統級封裝（SiP）得到，系統級封裝上各芯片間的互連，往往采用引線接合法（Wire?bonding）來實現。因此，現有的射頻前端模塊（RF?FEM）具有模塊尺寸大、信噪比（SNR）低、功耗大等缺點。此外，制造射頻前端模塊的方法（即，系統級封裝方法）往往具有工藝復雜度高、成本高等缺點。?

此外，在整個射頻前端模塊中，對射頻開關的要求最特別，尤其是對開關晶體管的導通和關斷與工作偶合電容有很高的要求，導通電?阻和偶合電容的乘積越大，開關晶體管的性能越差。?

因此，為了解決上述問題，本發明提出一種新的集成電路及其制造方法。?

發明內容

針對現有技術的不足，本發明提供一種集成電路及其制造方法，通過單一芯片實現現有技術中的射頻前端模塊（RF?FEM）的部分或全部功能。?

本發明實施例一提供一種集成電路，包括：第一半導體襯底、位于所述第一半導體襯底的第一區域且位于所述第一半導體襯底的第一表面的第一組晶體管、嵌入所述第一半導體襯底的第二區域的第二半導體襯底、位于所述第二半導體襯底的第一表面的第二組晶體管、以及位于所述第一半導體襯底的第二表面上的第一體介電層；其中，所述第一半導體襯底的第一表面與第二表面為相對的兩個表面，所述第二半導體襯底的第一表面與所述第一半導體襯底的第一表面重合，并且，所述第二半導體襯底的電導率高于所述第一半導體襯底。?

可選地，位于所述第一區域的所述第一組晶體管中的各個晶體管之間由位于所述第一半導體襯底內的第一組淺溝槽隔離所隔離，底部由所述第一體介電層位于所述第一區域的部分所隔離；位于所述第二區域的所述第二組晶體管中的各個晶體管之間由第二組淺溝槽隔離所隔離，底部由所述第一體介電層位于所述第二區域的部分所隔離，其中，所述第二組淺溝槽隔離位于所述第一半導體襯底內或所述第二半導體襯底內。?

可選地，所述第一半導體襯底的材料為硅晶體，所述第二半導體襯底的材料為硅合金半導體。?

進一步可選地，所述硅合金半導體為鍺硅半導體或碳硅半導體。?

可選地，所述第二半導體襯底（200）的材料為三五族半導體或二六族半導體。?

可選地，所述集成電路還包括位于所述第一半導體襯底（100）的第三區域且位于所述第一半導體襯底的表面的第三組晶體管，其中，所述第三組晶體管中的各個晶體管之間由位于所述第一半導體襯?底內的第一組深溝槽隔離所隔離，底部由所述第一體介電層位于所述第三區域的部分所隔離。?

可選地，所述第一組淺溝槽隔離靠近所述第一半導體襯底的所述第二表面的一側距所述第一半導體襯底的所述第一表面的距離為第一距離；所述第二組淺溝槽隔離靠近所述第一半導體襯底的所述第二表面的一側距所述第一半導體襯底的所述第一表面的距離為所述第一距離；所述第一組深溝槽隔離靠近所述第一半導體襯底的所述第二表面的一側距所述第一半導體襯底的所述第一表面的距離為第二距離；其中，所述第二距離大于所述第一距離。?

進一步可選地，所述第一距離為0.01-0.5微米，所述第二距離為0.5-10微米。?