[發(fā)明專利]一種調(diào)制摻雜型多周期應(yīng)變補(bǔ)償量子阱外延生長方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310697178.1
• 申請日: 2013-12-18
• 公開（公告）號: CN103715606A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳瑞華;劉建軍;唐琦
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華工正源光子技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01S5/343
• 分類號: H01S5/343
• 代理公司: 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11228
• 代理人: 張瑾

1.一種調(diào)制摻雜型多周期應(yīng)變補(bǔ)償量子阱外延生長方法，包括的步驟是：（一）生長前對MOCVD反應(yīng)室烘烤、清洗；（二）將InP襯底片在低壓MOCVD反應(yīng)室的基座上；（三）MOCVD反應(yīng)室壓力設(shè)置在20mbar至100mbar之間，同時采用PH3砷烷作為反應(yīng)及保護(hù)氣體，金屬有機(jī)物MO源為TMIn和TMGa或TEGa、P型摻雜源DMZn或DEZn采用氫氣載氣帶入反應(yīng)室，生長在550-750℃之間，其中金屬有機(jī)物MO源與PH3及AsH3在生長溫度中分解并發(fā)生有機(jī)化學(xué)反應(yīng)，形成包含U型層元素或n型層元素的化合物的半導(dǎo)體層，藉此完成多量子阱結(jié)構(gòu)材料的外延生長；（四）關(guān)閉載氣，金屬有機(jī)物和保護(hù)氣體將反應(yīng)室降溫，充入氮?dú)獠⒎磻?yīng)室升壓，以及將晶片從反應(yīng)室中取出。

2.如權(quán)利要求1所述的調(diào)制摻雜型多周期應(yīng)變補(bǔ)償量子阱外延生長方法，其特征在于：所述的P型摻雜源是金屬有機(jī)物MO源為DMZn或DEZn的，摻雜濃度為10¹⁷cm³～10¹⁸cm³。

3.如權(quán)利要求1所述的調(diào)制摻雜型多周期應(yīng)變補(bǔ)償量子阱外延生長方法，其特征在于：所述的量子阱的數(shù)目i為6≤i<11。

4.如權(quán)利要求1所述的調(diào)制摻雜型多周期應(yīng)變補(bǔ)償量子阱外延生長方法，其特征在于：所述的量子阱的組成部為未摻雜的（0<x1≤1,?0<y1≤1），其量子阱應(yīng)變?yōu)閴簯?yīng)變。

5.如權(quán)利要求4所述的調(diào)制摻雜型多周期應(yīng)變補(bǔ)償量子阱外延生長方法，其特征在于：所述的壓應(yīng)變大小在+8800～11000ppm。

6.如權(quán)利要求1所述的調(diào)制摻雜型多周期應(yīng)變補(bǔ)償量子阱外延生長方法，其特征在于：所述的量子壘層為調(diào)制摻雜結(jié)構(gòu)，其量子壘應(yīng)變?yōu)閺垜?yīng)變。

7.如權(quán)利要求6所述的調(diào)制摻雜型多周期應(yīng)變補(bǔ)償量子阱外延生長方法，其特征在于：所述的張應(yīng)變量為－4500～-5800ppm。

8.如權(quán)利要求6所述的調(diào)制摻雜型多周期應(yīng)變補(bǔ)償量子阱外延生長方法，其特征在于：所述的量子壘層其中間部份材料進(jìn)行摻雜。

9.如權(quán)利要求8所述的調(diào)制摻雜型多周期應(yīng)變補(bǔ)償量子阱外延生長方法，其特征在于：所述的量子壘為未摻雜+P型摻雜+未摻雜三部分組成，其中（0<x2≤1,?0<y2≤1），摻雜厚度占整個壘層材料60%以上。