[發明專利]非揮發性記憶體及其制造方法

有效

• 申請號: 201310695133.0
• 申請日: 2013-12-13
• 公開（公告）號: CN104716099B
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發明（設計）人: 詹耀富
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種非揮發性記憶體，其特征在于其包括：

一襯底，具有一主動區；

一穿隧介電層，配置于該主動區中的該襯底的表面上，且該穿隧介電層并不會形成于襯底的角落處；

一浮置柵極，配置于該穿隧介電層上；

多個保護層，分別配置于該浮置柵極的部分側壁上，且該保護層覆蓋于部分穿隧介電層之上；

一控制柵極，覆蓋該浮置柵極的頂面與部分側壁以及每一該些保護層的至少一部分；以及

一柵間介電層，配置于該浮置柵極與該控制柵極之間以及配置于該些保護層與該控制柵極之間；

其中，該襯底中具有多個隔離結構，該些隔離結構定義出該主動區，且該主動區中的該襯底的表面與該些隔離結構的頂面的高度差小于200埃；該保護層的頂面高于該隔離結構的頂面；該柵間介電層覆蓋該浮置柵極的頂面與部分側壁、每一保護層的一部分以及該隔離結構，該控制柵極也覆蓋該浮置柵極的頂面與部分側壁、每一保護層的一部分以及該隔離結構。

2.根據權利要求1所述的非揮發性記憶體，其特征在于其中該主動區中的該襯底的表面與該些隔離結構的頂面平齊。

3.根據權利要求1所述的非揮發性記憶體，其特征在于其中該些保護層的頂面與該穿隧介電層的頂面之間的高度為50～200埃。

4.一種非揮發性記憶體，其特征在于其包括：

一襯底，該襯底中具有多個隔離結構，且該些隔離結構定義出一主動區，且該主動區中的該襯底的表面與該些隔離結構的頂面的高度差小于200埃；

一穿隧介電層，配置于該主動區中的該襯底的表面上，且該穿隧介電層并不會形成于襯底的角落處；

一浮置柵極，配置于該穿隧介電層上；

一控制柵極，覆蓋該浮置柵極的頂面與部分側壁；

一柵間介電層，配置于該浮置柵極與該控制柵極之間；以及

多個保護層，分別配置于該浮置柵極的部分側壁上，且該保護層覆蓋于部分穿隧介電層之上，其中該控制柵極覆蓋每一該些保護層的至少一部分，且部分該柵間介電層配置于該些保護層與該控制柵極之間；

其中，該保護層的頂面高于該隔離結構的頂面，該柵間介電層覆蓋該浮置柵極的頂面與部分側壁、每一保護層的一部分以及該隔離結構，該控制柵極也覆蓋該浮置柵極的頂面與部分側壁、每一保護層的一部分以及該隔離結構。

5.根據權利要求1所述的非揮發性記憶體，其特征在于其中該些保護層的頂面與該穿隧介電層的頂面之間的高度為50～200埃。

6.一種非揮發性記憶體的制造方法，其特征在于其包括以下步驟：

提供一襯底，該襯底具有一主動區；

在該主動區中的該襯底的表面上形成一穿隧介電層，且該穿隧介電層并不會形成于襯底的角落處；

在該穿隧介電層上形成一浮置柵極；

在該浮置柵極的部分側壁上形成多個第一保護層；

形成一柵間介電層，該柵間介電層覆蓋該浮置柵極的頂面與部分側壁以及每一該些第一保護層的至少一部分；以及

在該柵間介電層上形成一控制柵極；

其中形成該穿隧介電層、該浮置柵極以及該些第一保護層的方法包括：

在該襯底上形成一犧牲層；

在該犧牲層上形成一圖案化硬掩膜層；

以該圖案化硬掩膜層為掩膜，在該襯底與該犧牲層中形成多個隔離結構，該些隔離結構定義出該主動區；

移除該圖案化硬掩膜層，以暴露出犧牲層的表面以及隔離結構的側壁；

在該些隔離結構的側壁上形成多個第二保護層；

移除該犧牲層，以至少暴露位于該些第二保護層之間的該襯底的表面；

在該主動區中經暴露的該襯底的表面上形成該穿隧介電層；

在該些第二保護層之間的該穿隧介電層上形成該浮置柵極；

移除該些隔離結構中每個隔離結構的一部分，以暴露部分該些第二保護層；以及

移除該些第二保護層的暴露部分，以暴露該浮置柵極的部分側壁，且在該浮置柵極的部分側壁上形成該些第一保護層，該第一保護層的頂面高于該隔離結構的頂面。

7.根據權利要求6所述的非揮發性記憶體的制造方法，其特征在于其中在移除該些隔離結構中每個隔離結構的一部分之后，該主動區中的該襯底的表面與該些隔離結構的頂面的高度差小于200埃。