[發明專利]一種片狀三氧化鎢光電極及其制備方法

在審

• 申請號: 201310691028.X
• 申請日: 2013-12-13
• 公開（公告）號: CN104711528A
• 公開（公告）日: 2015-06-17
• 發明（設計）人: 李燦;王楠;施晶瑩;鄭霄家
• 申請（專利權）人: 中國科學院大連化學物理研究所
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58;C25B11/04
• 代理公司: 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002
• 代理人: 劉陽

1.一種片狀陣列構成的WO₃多孔薄膜光電極，其特征在于：其中WO₃片大小為200-1800nm，厚度為20-80nm，整體呈陣列堆疊方式。?

2.一種片狀陣列構成的WO₃多孔薄膜光電極的制備方法，其特征在于：制備的主要步驟如下：?

（1）將清洗干凈的導電基底放入反應磁控濺射設備中，本底真空抽至小于7×10^-7torr，濺射氣體為Ar，反應氣體為O₂，工作壓強為2-20mtorr，首先沉積20-50nm的氧化鎢作為致密層，然后采用雙金屬靶共濺射，濺射功率為40-200W，靶材到基底的距離為120～170mm，樣品臺轉速為1～20rpm，沉積的混相非晶氧化物薄膜厚度為200～1000nm。?

（2）將制備的混相非晶氧化物薄膜在酸性溶液中浸泡1-10小時，取出，清洗，干燥，得到多孔薄膜。?

（3）在空氣中450-550℃進行退火處理，得到片狀陣列構成的WO₃多孔薄膜光電極。?

3.按照權利要求2所述的制備方法，其特征在于：所述基底為IT導電玻璃、FTO導電玻璃。?

4.按照權利要求2所述的制備方法，所述雙金屬靶其中一個靶為鎢靶，另一種為金屬鋁、銅、鋅中的一種，純度均在99.95%以上。?

5.按照權利要求2所述的制備方法，其特征在于：所述酸性溶液為0.1～4M的HNO₃、H₂SO₄或者HCl。?

6.一種片狀陣列構成的WO₃多孔薄膜光電極的應用，其特征在于：制備得到的WO₃片狀多孔薄膜光電極能夠用于光電化學分解水及染料敏化電池中。?