[發(fā)明專利]一種緊湊型偏轉(zhuǎn)會(huì)聚離子束的靜電透鏡有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310689834.3 | 申請(qǐng)日: | 2013-12-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104715987B | 公開(公告)日: | 2017-02-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李海洋;陳平;花磊;謝園園;蔣吉春;劉巍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所 |
| 主分類號(hào): | H01J37/12 | 分類號(hào): | H01J37/12;H01J37/317 |
| 代理公司: | 沈陽科苑專利商標(biāo)代理有限公司21002 | 代理人: | 劉陽 |
| 地址: | 116023 *** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 緊湊型 偏轉(zhuǎn) 會(huì)聚 離子束 靜電透鏡 | ||
1.一種緊湊型偏轉(zhuǎn)會(huì)聚離子束的靜電透鏡,其特征在于:包括入射離子束(1)、光闌(2)、三維定位絕緣組件(3)、下偏轉(zhuǎn)電極(4)、上偏轉(zhuǎn)電極(5),屏蔽電極(6)以及出射離子束(7),各部分之間沿z同軸依次固定連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述靜電透鏡,其特征在于:
下偏轉(zhuǎn)電極(4)和上偏轉(zhuǎn)電極(5)為精密加工得到的相同環(huán)形結(jié)構(gòu)電極,分別與三維定位絕緣組件(3)中心處上下對(duì)稱分布的圓弧槽型結(jié)構(gòu)配合連接,確定了兩個(gè)偏轉(zhuǎn)電極之間的間隔距離,沿z軸轉(zhuǎn)動(dòng)的角度以及兩個(gè)偏轉(zhuǎn)電極之間的同軸度,兩個(gè)偏轉(zhuǎn)電極在x-z對(duì)稱分布,且與z方向同軸,電極材料為不銹鋼,采用精磨制成,保證光潔度和平面度,
下偏轉(zhuǎn)電極(4)和上偏轉(zhuǎn)電極(5)分別施加電壓-(V0-Vd/2)和-(V0+Vd/2)的電位;其中V0為透鏡實(shí)現(xiàn)會(huì)聚功能的電位,Vd為透鏡兩個(gè)偏轉(zhuǎn)電極電位差,用于控制離子偏轉(zhuǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述靜電透鏡,其特征在于:
三維定位絕緣組件(3)由兩個(gè)相同結(jié)構(gòu)絕緣件構(gòu)成,三維定位絕緣組件(3)的結(jié)構(gòu)包括:中心開有通孔,用于透過離子束;上下對(duì)稱分布的圓弧槽型結(jié)構(gòu),分別用于定位下偏轉(zhuǎn)電極(4)和上偏轉(zhuǎn)電極(5),保證與z方向同軸性及控制沿z軸轉(zhuǎn)動(dòng)的角度大小;兩個(gè)三維定位絕緣組件(3)的另一側(cè)帶有圓弧槽結(jié)構(gòu),用于與光闌(2)和屏蔽電極(6)的定位同軸配合連接,三維定位絕緣組件(3)與z方向同軸,
為保證三維定位絕緣組件(3)的平面度和平行度誤差足夠的小,采用陶瓷或者聚醚醚酮(PEEK)材料精密加工而成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述靜電透鏡,其特征在于:
光闌(2)為中心開有通孔的不銹鋼電極制成;通過調(diào)節(jié)孔徑大小來限制進(jìn)入離子束的發(fā)散角度;光闌(2)與z方向同軸,光闌(2)與三維定位絕緣組件(3)連接的一側(cè)中心為圓弧型凸口,圓弧型凸口與三維定位絕緣組件(3)的圓弧槽結(jié)構(gòu)配合連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述靜電透鏡,其特征在于:
屏蔽電極(6)為中心開有通孔的不銹鋼電極制成,接地屏蔽電場(chǎng);屏蔽電極(6)與z方向同軸,屏蔽電極(6)與三維定位絕緣組件(3)連接的一側(cè)中心為圓弧型凸口,圓弧型凸口與三維定位絕緣組件(3)的圓弧槽結(jié)構(gòu)配合連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述靜電透鏡,其特征在于:
該透鏡系統(tǒng)工作于真空下;離子束沿z軸方向入射。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述靜電透鏡,其特征在于:該透鏡系統(tǒng)工作于真空優(yōu)于10-2Pa的環(huán)境下。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所,未經(jīng)中國科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310689834.3/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





