[發明專利]一種RF-PECVD制備石墨烯的工藝在審
| 申請號： | 201310689684.6 | 申請日： | 2013-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN104709897A | 公開（公告）日： | 2015-06-17 |
| 發明（設計）人： | 于明森 | 申請（專利權）人： | 青島勝利鍋爐有限公司 |
| 主分類號： | C01B31/04 | 分類號： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 無 | 代理人： | 無 |
| 地址： | 266700 *** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 rf pecvd 制備 石墨 工藝 | ||
1.一種RF-PECVD制備石墨烯的工藝，其特征是：采用射頻等離子體增強化學氣相沉積（RF-PECVD）的方法，以磁控濺射鍍膜系統制備的多晶鈷薄膜為基底，在較低的基底溫度（800℃）、較少的氣體總流量（78sccm）和較短的沉積時間（40s）下成功地制備了高品質的1-5個碳原子層的石墨烯。
2.根據權利要求1所述的一種RF-PECVD制備石墨烯的工藝，其特征是：多晶鈷薄膜的制備：采用JGP-450A型多靶磁控濺射鍍膜設備，將厚度為450nm的鈷薄膜沉積到單晶Si（100）基底上，使用的濺射靶材是直徑為6cm的高純鈷（99.95%），在將Si（100）基片放入真空室之前分別用丙酮、酒精和去離子水對其進行超聲清洗15min去除硅片表面的污漬，當真空室的背景壓強達到6×10-4Pa后，開始在Si（100）基底上沉積鈷薄膜。?
3.根據權利要求2所述的一種RF-PECVD制備石墨烯的工藝，其特征是：沉積條件如下：基片溫度為200℃；濺射壓強為1.8Pa；濺射電流為0.4A；基片偏壓為-100V；Ar氣流量保持在60sccm。?
4.根據權利要求1所述的一種RF-PECVD制備石墨烯的工藝，其特征是：具體工藝：將多靶磁控濺射設備制備的鈷薄膜放入JGP300A型射頻等離子體增強化學氣相沉積設備（RF-PECVD，射頻為13.56MHz）的樣品臺上，當反應室的壓強低于13Pa后，通入Ar氣（20sccm）和H2氣（10sccm），并保持反應室的氣體壓強為220Pa，通過40min將鈷薄膜升溫到800℃，之后將Ar氣和H2氣的流量分別調至60sccm和15sccm，同時通入碳源氣體—甲烷（3sccm），當反應室的氣體壓強穩定在1000Pa時，將射頻功率調節到200W，40s之后在多晶鈷薄膜上制備得到了石墨烯，沉積結束后，關閉甲烷，使反應室在Ar和H2的氣氛下快速降溫。?
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