[發(fā)明專利]封裝組件及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201310677107.5
• 申請日: 2013-12-12
• 公開（公告）號: CN103633058A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 譚小春
• 申請（專利權(quán)）人: 矽力杰半導(dǎo)體技術(shù)(杭州)有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/498;H01L21/60
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;馮麗欣

1.一種封裝組件，包括：

具有互連區(qū)的芯片承載裝置；

位于互連區(qū)中的焊料；以及

具有導(dǎo)電凸塊的電子元件，所述導(dǎo)電凸塊的端部接觸焊料，使得所述電子元件與所述芯片承載裝置形成焊料互連，

其中，所述互連區(qū)具有凹陷的表面，用于接觸和容納焊料并且固定導(dǎo)電凸塊的位置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝組件，其中，所述導(dǎo)電凸塊的端部插入所述互連區(qū)中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝組件，其中所述芯片承載裝置包括金屬層，并且所述互連區(qū)是在金屬層的表面上形成的凹陷部。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝組件，其中所述導(dǎo)電凸塊的端部底表面低于所述金屬層的主表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝組件，其中所述互連區(qū)的表面具有選自半球體、立方體、長方體、圓柱體中任一種的內(nèi)表面形狀。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝組件，還包括封裝料，所述封裝料覆蓋芯片承載裝置的至少一部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝組件，所述封裝料還覆蓋電子元件的至少一部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝組件，其中所述芯片承載裝置是選自引線框和電路板中的一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝組件，其中所述芯片承載裝置是電路板，所述電路板包括絕緣基板和導(dǎo)電跡線，并且所述互連區(qū)是在導(dǎo)電跡線的表面上形成的凹陷部。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝組件，其中所述電子元件包括選自集成電路芯片和分立元件的至少一種電子元件。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝組件，其中所述分立元件包括選自電阻器、電容器、電感器、二極管和晶體管的至少一種分立元件。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝組件，其中所述集成電路芯片以倒裝方式安裝在所述芯片承載裝置上。

13.一種制造根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項所述的封裝組件的方法，包括：

形成具有互連區(qū)的芯片承載裝置，所述互連區(qū)具有凹陷的表面；

在芯片承載裝置的互連區(qū)中放置焊料，使得所述互連區(qū)接觸和容納所述焊料的至少一部分；

在芯片承載裝置上放置具有導(dǎo)電凸塊的電子元件，所述導(dǎo)電凸塊的端部接觸焊料；以及

回流焊料，使得所述電子元件與所述芯片承載裝置形成焊料互連。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述導(dǎo)電凸塊的端部插入所述互連區(qū)中。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中形成芯片承載裝置的步驟包括：

在金屬層上形成具有凹陷表面的互連區(qū)；以及

將金屬層圖案化成引腳，使得所述互連區(qū)位于引腳的表面上，并且相鄰的引腳之間由溝槽隔開。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中分別通過蝕刻形成互連區(qū)和圖案化金屬層。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中通過一次沖壓形成互連區(qū)和圖案化金屬層。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中通過蝕刻形成互連區(qū)，以及通過沖壓圖案化金屬層。

19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中形成芯片承載裝置的步驟包括：

在絕緣基板上形成金屬層，所述金屬層具有凹陷表面的互連區(qū)；以及

將金屬層圖案化成導(dǎo)電跡線，使得所述互連區(qū)位于導(dǎo)電跡線的表面上，并且相鄰的導(dǎo)電跡線之間由溝槽隔開。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中形成金屬層的步驟包括：

在絕緣基板上設(shè)置凹陷部；以及

在絕緣基板上鍍敷金屬以形成金屬層，其中金屬層在凹陷部處是共形的，從而所述金屬層的凹陷部作為互連區(qū)。

21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中形成金屬層的步驟包括：

在絕緣基板上鍍敷金屬以形成金屬層；以及

通過沖壓在金屬層和下方的絕緣基板中形成凹陷部，從而所述金屬層的凹陷部作為互連區(qū)。

22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中通過蝕刻圖案化金屬層。