[發明專利]LED結構及其形成方法在審
| 申請號： | 201310676275.2 | 申請日： | 2013-12-11 |
| 公開（公告）號： | CN104716239A | 公開（公告）日： | 2015-06-17 |
| 發明（設計）人： | 張旺 | 申請（專利權）人： | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 張大威 |
| 地址： | 518118 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | led 結構 及其 形成 方法 | ||
1.一種LED結構，其特征在于，包括：
襯底；
第一摻雜類型氮化物半導體層，所述第一摻雜類型氮化物半導體層位于所述襯底上；
第一電極，所述第一電極位于所述第一摻雜類型氮化物半導體層的第一區域上；
多量子阱，所述多量子阱位于所述第一摻雜類型氮化物半導體層的第二區域上，所述多量子阱包括周期交替排列的多個阱層和多個壘層，其中，所述阱層中具有p型摻雜區，其中，當所述第一摻雜類型為n型時，所述p型摻雜區位于所述阱層的前端，或者，當所述第一摻雜類型為p型時，所述p型摻雜區位于所述阱層的后端；
第二摻雜類型氮化物半導體層，所述第二摻雜類型氮化物半導體層位于所述多量子阱上；
第二電極，所述第二電極位于所述第二摻雜類型氮化物半導體層上。
2.如權利要求1所述的LED結構，其特征在于，所述p型摻雜區的厚度為所述阱層厚度的三分之二。
3.如權利要求1所述的LED結構，其特征在于，所述p型摻雜區的摻雜濃度為1015-1020cm-3。
4.如權利要求1所述的LED結構，其特征在于，所述多量子阱是通過金屬有機物化學氣相沉積工藝得到的。
5.如權利要求1所述的LED結構，其特征在于，所述阱層材料為InGaN或AlGaN，所述壘層材料為GaN。
6.一種LED結構的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供襯底；
在所述襯底上形成第一摻雜類型氮化物半導體層；
在所述第一摻雜類型氮化物半導體層的第一區域上形成第一電極；
在所述第一摻雜類型氮化物半導體層的第二區域上形成多量子阱，所述多量子阱包括周期交替排列的多個阱層和多個壘層，其中，所述阱層中具有p型摻雜區，其中，當所述第一摻雜類型為n型時，所述p型摻雜區位于所述阱層的前端，或者，當所述第一摻雜類型為p型時，所述p型摻雜區位于所述阱層的后端；
在所述多量子阱上形成第二摻雜類型氮化物半導體層；
在所述第二摻雜類型氮化物半導體層上形成第二電極。
7.如權利要求6所述的LED結構的形成方法，其特征在于，所述p型摻雜區的厚度為所述阱層厚度的三分之二。
8.如權利要求6所述的LED結構的形成方法，其特征在于，所述p型摻雜區的摻雜濃度為1015-1020cm-3。
9.如權利要求6所述的LED結構的形成方法，其特征在于，通過金屬有機物化學氣相沉積工藝形成所述多量子阱。
10.如權利要求6所述的LED結構的形成方法，其特征在于，所述阱層材料為InGaN或AlGaN，所述壘層材料為GaN。
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