[發(fā)明專利]全光單片集成光電器件及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310676003.2 | 申請日： | 2013-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN104716153A | 公開（公告）日： | 2015-06-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 任昕;陸書龍;邊歷峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | H01L27/15 | 分類號： | H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王鋒 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單片 集成 光電 器件 及其 制作方法 | ||
1.一種全光單片集成光電器件，其特征在于，包括p型GaAs襯底，以及依次形成于p型GaAs襯底上的GaInP/AlGaInP有源區(qū)量子阱、n型GaAs接觸層、n型GaN接觸層、GaN／InGaN有源區(qū)量子阱和p型GaN接觸層，所述全光單片集成光電器件為單片集成的單個器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全光單片集成光電器件，其特征在于：所述n型GaN接觸層鍵合形成于所述n型GaAs接觸層表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全光單片集成光電器件，其特征在于：所述全光單片集成光電器件為LED或光伏電池。
4.一種全光單片集成光電器件的制作方法，其特征在于，包括：
s1、在p型GaAs襯底上依次生長GaInP/AlGaInP有源區(qū)量子阱和n型GaAs接觸層，獲得GaAs晶片；
s2、在藍(lán)寶石襯底上依次生長p型GaN接觸層、GaN／InGaN有源區(qū)量子阱和n型GaN接觸層，獲得GaN晶片；
s3、將n型GaAs接觸層和n型GaN接觸層進(jìn)行鍵合；
s4、剝離藍(lán)寶石襯底。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的全光單片集成光電器件的制作方法，其特征在于：所述步驟s1中，所述GaInP/AlGaInP有源區(qū)量子阱通過分子束外延方法生長于p型GaAs襯底上，生長溫度控制為610~730℃，生長壓力控制為4~8MPa。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的全光單片集成光電器件的制作方法，其特征在于：所述步驟s3中，鍵合前還包括：將GaAs晶片和GaN晶片依次在三氯乙烯／丙酮／乙醇中超聲清洗，并在HC1溶液中浸泡去除表面氧化物，最后用去離子水清洗。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的全光單片集成光電器件的制作方法，其特征在于：所述HC1溶液中，Hcl與H2O的體積比為1:5。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
