[發明專利]薄介質層光刻對準標記的制作方法

在審

• 申請號: 201310675882.7
• 申請日: 2013-12-12
• 公開（公告）號: CN104716016A
• 公開（公告）日: 2015-06-17
• 發明（設計）人: 童宇鋒;袁春雨
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L23/544
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.薄介質層光刻對準標記的制作方法，其特征在于，步驟包括：

1）在前前層金屬層上對應本層介質層要放置光刻對準標記的區域處放置整塊金屬檔板；

2）進行前層介質層的沉積、光刻和填充工藝，該層在前前層金屬層放置整塊金屬檔板區域全部為該層膜質成分；

3）根據本層介質層光刻對準標記的形狀和尺寸，在本層介質層光刻對準標記下方的前層金屬層上刻蝕形成相應的開孔；

4)進行本層介質層的沉積、光刻和填充工藝，最終形成具有三層厚度的光刻對準標記。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3）所述開孔的尺寸與本層介質層光刻對準標記的尺寸相差0～±3μm。