[發明專利]多層透明導電薄膜及其制備方法與電致發光器件

在審

• 申請號: 201310671841.0
• 申請日: 2013-12-10
• 公開（公告）號: CN104700922A
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發明（設計）人: 周明杰;陳吉星;王平;黃輝
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01B1/08
• 分類號: H01B1/08;H01B1/02;H01B5/00;H01B13/00;H01L51/52;H01L51/54
• 代理公司: 深圳市隆天聯鼎知識產權代理有限公司 44232
• 代理人: 劉抗美;劉耿

1.一種多層透明導電薄膜，其特征在于，所述多層透明導電薄膜由緩沖匹配層、導電層和低功函層組成，其中，所述緩沖匹配層的材質為MeO，Me為Mg、Zn或Cd；所述導電層的材質為Au；所述低功函層的材質為R₂O，R為Li、Na、K、Rb或Cs。

2.如權利要求1所述的多層透明導電薄膜，其特征在于，所述緩沖匹配層的厚度為50~150nm；所述導電層的厚度為5~35nm；所述低功函層的厚度為1~10nm。

3.如權利要求1所述的多層透明導電薄膜，其特征在于，所述緩沖匹配層的厚度為80nm；所述導電層的厚度為25nm；所述低功函層的厚度為2nm。

4.一種多層透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

（a）分別選取MeO、Au和R₂O的粉末作為靶材，連同襯底裝入鍍膜設備的真空腔體內；

（b）將所述真空腔體的真空度抽至1.0×10^-3Pa~1.0×10^-5Pa，調整所述襯底和所述靶材的間距為35~95mm；

（c）在所述襯底上依次蒸鍍制備MeO、Au和R₂O，所述蒸鍍速率為0.3~5nm/s；

其中，Me為Mg、Zn或Cd；R為Li、Na、K、Rb或Cs。

5.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟（c）中，所述MeO的蒸發速率為1~8nm/s，所述Au的蒸發速率為0.5~5nm/s，所述R₂O的蒸發速率為0.3~3nm/s。

6.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述緩沖匹配層的厚度為50~150nm；所述導電層的厚度為5~35nm；所述低功函層的厚度為1~10nm。

7.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述緩沖匹配層的厚度為80nm；所述導電層的厚度為25nm；所述低功函層的厚度為2nm。

8.一種電致發光器件，其為復合層狀結構，所述復合層狀結構依次為玻璃襯底、陰極層、功能層以及陽極層，其特征在于，所述陰極層為多層透明導電薄膜，多層透明導電薄膜由緩沖匹配層、導電層和低功函層組成，其中，所述緩沖匹配層的材質為MeO，Me為Mg、Zn或Cd；所述導電層的材質為Au；所述低功函層的材質為R₂O，R為Li、Na、K、Rb或Cs。

9.如權利要求8所述的電致發光器件，其特征在于，所述緩沖匹配層的厚度為50~150nm；所述導電層的厚度為5~35nm；所述低功函層的厚度為1~10nm。

10.如權利要求9所述的電致發光器件，其特征在于，所述緩沖匹配層的厚度為80nm；所述導電層的厚度為25nm；所述低功函層的厚度為2nm。