[發明專利]一種粗金絲鍵合方法有效
| 申請號： | 201310669384.1 | 申請日： | 2013-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN103824786A | 公開（公告）日： | 2014-05-28 |
| 發明（設計）人： | 王斌;李紅偉;劉金現 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第四十一研究所 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246 | 代理人： | 龔燮英 |
| 地址： | 266555 山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 金絲 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種粗金絲鍵合方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1：設置焊具鍵合端面采用槽型結構，并且槽邊緣應具有圓角形結構；
步驟2：將長度加工好的金絲放置到薄膜電路基片的焊盤處；
步驟3：將薄膜電路基片連同金絲一起放置到150℃加熱臺上加熱，同時打開鍵合設備，焊具用加熱線圈進行加熱，加熱溫度150℃，加熱穩定后進行鍵合；
步驟4：鍵合時采用手工鍵合方式，施加壓力進行鍵合，以使金絲變形到預定范圍。
2.如權利要求1所述的粗金絲鍵合方法，其特征在于，所述步驟1中槽型結構為圓弧結構。
3.如權利要求1所述的粗金絲鍵合方法，其特征在于，所述槽型結構的槽直徑是所鍵合金絲直徑的110%—120%，所述槽型結構的槽深度是鍵合金絲直徑的30%--40%。
4.如權利要求1所述的粗金絲鍵合方法，其特征在于，所述步驟4中預定范圍為金絲原直徑的60—70%。
5.如權利要求4所述的粗金絲鍵合方法，其特征在于，所述鍵合點為3個。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
