[發明專利]SIM卡信號采集方法及裝置

有效

• 申請號: 201310646154.3
• 申請日: 2013-12-04
• 公開（公告）號: CN103607495B
• 公開（公告）日: 2017-03-08
• 發明（設計）人: 宋魏杰;黨飛;昌明濤;何爭明
• 申請（專利權）人: 東信和平科技股份有限公司
• 主分類號: H04M1/24
• 分類號: H04M1/24
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 王寶筠

技術領域

本申請涉及移動通信領域，特別涉及SIM卡信號采集方法及裝置。

背景技術

在SIM卡（Subscriber?Identity?Module，客戶識別模塊）的開發過程中及日常使用中，需要對相關SIM卡與終端（如手機）的通信進行檢測。常見的檢測方法是通過單片機采集信號，單片機將采集到的信號發送至上位機進行分析。

常見的SIM卡有A類SIM卡、B類SIM卡和C類SIM卡。A類SIM卡的工作電壓為5V，B類SIM卡的工作電壓為3.3V，C類SIM卡的工作電壓為1.8V。

在使用某一種具有固定工作電壓的單片機采集A類、B類和C類SIM卡信號時，單片機所包含的通用I/O管腳口采集電壓的限制，導致單片機可能采集不到某種類型SIM卡的信號，或采集某種類型SIM卡的信號時發生錯誤。

由上可見，目前在使用同一種單片機采集三類SIM卡信號時，存在采集不到某種類型SIM卡的信號或采集某種類型SIM卡的信號時發生錯誤的缺點，從而導致對相關SIM卡與終端（如手機）的通信進行檢測得到的檢測結果錯誤率高的問題。

發明內容

為解決上述技術問題，本申請實施例提供一種SIM卡信號采集方法及裝置，以達到單片機能夠采集到任意一種類型SIM卡信號的轉換電壓且采集任意一種類型SIM卡信號的轉換電壓時均不會發生錯誤的目的，技術方案如下：

一種客戶識別模塊SIM卡信號采集方法，應用于包含有與門電路和單片機的智能卡信號采集裝置，所述方法包括：

由所述與門電路的一個輸入端輸入待采集SIM卡信號的工作電壓；

由所述與門電路依據所述與門電路的另一個輸入端的預設電壓對所述待采集SIM卡信號的工作電壓進行轉換，獲取所述待采集SIM卡信號的轉換電壓，所述待采集SIM卡信號的轉換電壓與所述預設電壓相同，所述預設電壓與所述單片機的工作電壓相同；

由所述與門電路的輸出端輸出所述轉換電壓；

由所述單片機從所述輸出端采集所述待采集SIM卡信號的轉換電壓。

優選的，在所述單片機的工作電壓為3.3V的情況下，所述預設電壓為3.3V，所述待采集SIM卡信號的工作電壓為3.3V、1.8V和5V中任意一種，所述轉換電壓為3.3V。

優選的，在所述單片機的工作電壓為1.8V的情況下，所述預設電壓為1.8V，所述待采集SIM卡信號的工作電壓為3.3V、1.8V和5V中任意一種，所述轉換電壓為1.8V。

優選的，在所述單片機的工作電壓為5V的情況下，所述預設電壓為5V，所述待采集SIM卡信號的工作電壓為3.3V、1.8V和5V中任意一種，所述轉換電壓為5V。

一種客戶識別模塊SIM卡信號采集裝置，包括：

與門電路，包括兩個輸入端和一個輸出端，一個輸入端用于輸入待采集SIM卡信號的工作電壓，另一個輸入端的預設電壓用于作為對所述待采集SIM卡信號的工作電壓進行轉換的依據，獲取所述待采集SIM卡信號的轉換電壓，所述輸出端用于輸出所述轉換電壓，所述待采集SIM卡信號的轉換電壓與所述預設電壓相同，所述預設電壓與所述單片機的工作電壓相同；

單片機，與所述與門電路的輸出端相連，用于從所述輸出端采集所述待采集SIM卡信號的轉換電壓。

優選的，所述與門電路包括：CMOS與門電路；或，NOMS與門電路。

優選的，所述單片機包括采集信號電壓為3.3V的3.3V單片機；或，采集信號電壓為1.8V的1.8V單片機；或，采集信號電壓為5V的5V單片機；

所述SIM卡包括：信號電壓為3.3V的3.3VSIM卡；或，信號電壓為1.8V的1.8V的SIM卡；或，信號電壓為5V的5VSIM卡。

與現有技術相比，本申請的有益效果為：

在本申請中，所述與門電路的一個輸入端輸入待采集SIM卡信號的工作電壓；依據所述與門電路的另一個輸入端的預設電壓對所述待采集SIM卡信號的工作電壓進行轉換，獲取所述待采集SIM卡信號的轉換電壓，所述待采集SIM卡信號的轉換電壓與所述預設電壓相同，所述預設電壓與所述單片機的工作電壓相同；由所述與門電路的輸出端輸出所述轉換電壓；由所述單片機從所述輸出端采集所述待采集SIM卡信號的轉換電壓。