[發明專利]一種基于磁場可控微流控芯片開發SSR標記的方法

無效

• 申請號: 201310641796.4
• 申請日: 2013-12-03
• 公開（公告）號: CN103627806A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 李立家;張志凌;何世斌;余旭;王翔伍
• 申請（專利權）人: 武漢大學
• 主分類號: C12Q1/68
• 分類號: C12Q1/68
• 代理公司: 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222
• 代理人: 張火春

1.????一種基于磁場可控微流控芯片開發SSR標記的方法，其特征在于包括如下步驟：提取基因組DNA，將基因組DNA酶切成200-800?bp的片段；往酶切片段兩端加接頭進行PCR擴增，將PCR擴增產物和微衛星探針雜交；制備可以與微衛星探針結合的磁珠；制備磁場可控的微流控芯片；將磁珠、雜交混合物、洗脫液分別注入微流控芯片中，將含有SSR片段的DNA分離出來。

2.根據權利要求1所述的基于磁場可控微流控芯片開發SSR標記的方法，其特征在于：所述的磁場可控的微流控芯片，包括三層：第一層是氣閥控制層，用來控制溶液的流入和流出；第二層是流體層，控制流體流動；第三層是在ITO玻璃上PDMS封裝的鎳微結構，用來調控微通道內微區磁場分布。

3.根據權利要求2所述的基于磁場可控微流控芯片開發SSR標記的方法其特征在于：所述的磁場可控的微流控芯片的制作方法包含如下步驟：

（1）制作氣閥控制層：利用光刻技術，制作氣閥控制層光刻膠模型，接著倒上預聚的PDMS，排除氣泡，固化后，切下PDMS，打孔；

（2）制作流體層：制作流體層通道光刻膠模型的方法與制作氣閥層方法一致，然后甩上一層PDMS，固化；

（3）將流體層和氣閥控制層對準鍵合，鍵合牢固后，揭下來雙層芯片，打孔；

（4）制作PDMS封裝的鎳微結構：在ITO導電玻璃上進行光刻和電鍍，制作出光刻膠模型，在ITO導電玻璃上制作出鎳微結構；然后用一層PDMS將鎳微結構封裝在里面；

（5）將流體層通道和含有PDMS封裝的鎳微結構對準，鍵合，形成永久鍵合的微流控芯片；

（6）組裝成完整的微流控芯片，包括將半導體加熱片放在在ITO玻璃下面，兩個永磁鐵放置在半導體加熱片下方，位于流體通道兩側，溫控探頭放置在ITO玻璃和半導體加熱片之間。

4.根據權利要求1所述的基于磁場可控微流控芯片開發SSR標記的方法，其特征在于：所述的基因組DNA為真核生物的基因組DNA。

5.根據權利要求1所述的基于磁場可控微流控芯片開發SSR標記的方法，其特征在于：所述的酶切為使用MseI進行酶切。

6.根據權利要求5所述的基于磁場可控微流控芯片開發SSR標記的方法，其特征在于：所述的接頭為MseI?A：5’-TACTCAGGACTCAT-3’和MseI?B：5’-GACGATGAGTCCTGAG-3’；?通過T4?DNA連接酶將接頭加到酶切片段兩端；對應的PCR擴增的引物為MseI-N：5’-GATGAGTCCTGAGTAAN-3’。

7.根據權利要求1所述的基于磁場可控微流控芯片開發SSR標記的方法，其特征在于：所述的微衛星探針為5’端有biotin-T₁₀修飾的SSR；對應的可以與微衛星探針結合的磁珠為鏈霉親和素修飾的磁珠。

8.根據權利要求1所述的基于磁場可控微流控芯片開發SSR標記的方法，其特征在于：所述的雜交的條件為：95?℃下變性5?min，然后在65?℃下雜交1?h。

9.根據權利要求1所述的基于磁場可控微流控芯片開發SSR標記的方法，其特征在于：所述的洗脫液包括TEN₁₀₀₀、0.2×SSC+0.1%?SDS和TE。

10.根據權利要求1所述的基于磁場可控微流控芯片開發SSR標記的方法，其特征在于：所述的加熱為加熱至95?℃。