[發(fā)明專(zhuān)利]一種具有異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的雙極型功率半導(dǎo)體器件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310637564.1 | 申請(qǐng)日: | 2013-11-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103887333A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-06-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何敏;陳思哲;王玨 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 杭州恩能科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L29/739 | 分類(lèi)號(hào): | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 310013 浙江省杭州市西湖區(qū)文三*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 異質(zhì)結(jié) 結(jié)構(gòu) 雙極型 功率 半導(dǎo)體器件 | ||
1.一種具有異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的雙極型功率半導(dǎo)體裝置,其特征:柵極電極;源極電極和漏極電極;?
含有基于IV族化合物半導(dǎo)體碳化硅(SiC)的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),并與所述柵極電極,源極電極和漏極電極形成歐姆接觸。?
2.如權(quán)利1要求所述的器件,其中,表層半導(dǎo)體形成控制電流導(dǎo)通與關(guān)斷的溝道。?
3.如權(quán)利1要求所述的器件,其中,表層溝道的形成或是垂直型,或是平面型,溝道開(kāi)通和關(guān)斷的控制方式可以是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)控制或者金屬-絕緣層-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)控制。?
4.如權(quán)利1要求所述的器件,其中,柵極電極和源極電極分別位于器件正面,漏極電極位于器件背面。
5.如權(quán)利1要求所述的器件,其中,導(dǎo)通過(guò)程中由電子和空穴兩種導(dǎo)電粒子共同作用,為雙極型器件。?
6.如權(quán)利1要求所述的器件,其中,導(dǎo)電溝道和外延區(qū)域是同類(lèi)半導(dǎo)體材料。?
7.如權(quán)利1要求所述的器件,其中,襯底材料與外延層及器件溝道為異質(zhì)半導(dǎo)體材料。?
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類(lèi)型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
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