[發明專利]集成電路

有效

• 申請號: 201310634873.3
• 申請日: 2010-09-29
• 公開（公告）號: CN103760946B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: D·龔;L·倫德
• 申請（專利權）人: 電力集成公司
• 主分類號: G05F3/30
• 分類號: G05F3/30
• 代理公司: 北京北翔知識產權代理有限公司11285
• 代理人: 楊勇,鄭建暉

1.在半導體襯底上制造的集成電路，包括：

第一和第二雙極型晶體管，所述第一雙極型晶體管的基極和集電極聯接到所述第二雙極型晶體管的基極；

第一和第二電阻器，所述第一和第二電阻器串聯聯接在所述第二雙極型晶體管的發射極和地電位之間，所述第一和第二電阻器分別具有第一和第二電阻值R1和R2，并分別具有第三和第二溫度系數TC3和TC2；

第三電阻器，所述第三電阻器聯接在一節點和所述第二雙極型晶體管的集電極之間，當電力被供應到所述集成電路時，第一電流流過所述第三電阻器，所述第三電阻器具有第三電阻值R3以及第三溫度系數TC3；以及

電流鏡，所述電流鏡聯接到所述第一和第二雙極型晶體管，使得當電力被供應到所述集成電路時，第一電流流過所述第一和第二雙極型晶體管中的每一個，所述第一和第二電阻值使得所述第一電流在溫度變化下恒定。

2.如權利要求1所述的集成電路，其中所述第二雙極型晶體管的發射極對所述第一雙極型晶體管的發射極的尺寸比等于N，其中N是大于1的整數。

3.如權利要求2所述的集成電路，其中所述第一雙極型晶體管的發射極聯接到所述地電位。

4.如權利要求1所述的集成電路，其中所述第一和第二雙極型晶體管的基極－發射極電壓之差的溫度系數TC1等于

TC2×(R2/(R1+R2))+TC3×(R1/(R1+R2))。

5.如權利要求1所述的集成電路，還包括第三雙極型晶體管，所述第三雙極型晶體管的發射極聯接到所述地電位，所述第三雙極型晶體管的基極聯接到所述第二雙極型晶體管的集電極。

6.如權利要求5所述的集成電路，其中所述第三電阻值使得在溫度變化下，所述第三雙極型晶體管的基極－發射極電壓的百分比變化等于所述第三電阻器兩端的電壓降的百分比變化，從而導致在所述節點處生成在溫度變化下恒定的第一電壓。

7.如權利要求1所述的集成電路，其中所述第一和第三電阻器包括第一材料類型，所述第二電阻器包括第二材料類型。

8.如權利要求7所述的集成電路，其中所述第一材料類型包括p型注入物。

9.如權利要求8所述的集成電路，其中所述第二材料類型包括多晶硅。

10.如權利要求5所述的集成電路，還包括第四雙極型晶體管，所述第四雙極型晶體管的基極聯接到所述第三雙極型晶體管的集電極，所述第四雙極型晶體管的發射極聯接到所述節點，所述第四雙極型晶體管的集電極聯接到所述電流鏡。

11.如權利要求10所述的集成電路，其中所述電流鏡包括第一和第二晶體管，所述第四雙極型晶體管的集電極聯接到所述第二晶體管。

12.如權利要求11所述的集成電路，其中所述第一和第二晶體管分別包括第一和第二p溝道場效應晶體管。

13.如權利要求12所述的集成電路，還包括聯接到所述第一和第二p溝道場效應晶體管的第三p溝道場效應晶體管，所述第三p溝道場效應晶體管被配置來輸出所述第一電流。

14.如權利要求13所述的集成電路，還包括第四電阻器，所述第四電阻器聯接在供電線與所述第三雙極型晶體管的集電極之間。

15.如權利要求14所述的集成電路，還包括聯接在所述供電線與所述第三雙極型晶體管的集電極之間的第四p溝道場效應晶體管。

16.如權利要求15所述的集成電路，其中所述第四p溝道場效應晶體管的柵極被聯接以接收上電（PU）信號，在所述集成電路上電時，所述PU信號初始是低的，在所述供電線達到高至足以讓所述集成電路運作的電壓電位時，所述PU信號變為高。