[發(fā)明專利]在晶片解除卡緊期間減少晶片上顆粒數(shù)量的設(shè)備和方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310633277.3
• 申請(qǐng)日: 2008-06-12
• 公開（公告）號(hào): CN103762193A
• 公開（公告）日: 2014-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙尚俊;姜肖恩;湯姆·崔;韓太竣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號(hào): H01L21/683
• 分類號(hào): H01L21/683
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 李獻(xiàn)忠

1.一種在晶片等離子處理之后捕獲顆粒離開工藝室中晶片傳輸區(qū)域的設(shè)備，該設(shè)備包括：

第一電極，安裝在該工藝室內(nèi)該傳輸區(qū)域的一側(cè)上；

第二電極，安裝在該室內(nèi)在該傳輸區(qū)域的相對(duì)側(cè)上，與該第一電極隔開；和

與該第一電極連接以在這些電極之間以及跨越該傳輸區(qū)域建立電場(chǎng)的電源，該電場(chǎng)在這些電極的特定一個(gè)上捕獲某些特定的顆粒從而促使該室中的顆粒離開該傳輸區(qū)域，

其中該第一電極是上部電極，該第二電極是下部電極，

其中，該電源配置為通過施加正DC電勢(shì)到該第一電極而該第二電極接地建立該電場(chǎng)，和

該第二電極配置成靜電卡盤，其設(shè)有晶片安裝表面和限定為穿過該表面的通道，該通道配置為引導(dǎo)解除卡緊氣體至該晶片以將該晶片從該表面解除卡緊并便于晶片在晶片處理后移進(jìn)該傳輸區(qū)域；

該第二電極傾向于將帶正電的顆粒釋放進(jìn)該室的該傳輸區(qū)域；和

該電源配置為通過施加正DC電勢(shì)到該第一電極以及該靜電卡盤接地來建立該電場(chǎng)，所配置的電源使得該電場(chǎng)施加靜電力，其將帶正電的顆粒捕獲在該靜電卡盤處而遠(yuǎn)離該傳輸區(qū)域中的晶片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中：

帶負(fù)電的顆粒傾向于在該等離子處理該晶片之后處于該室中；和

所配置的電源使得該電場(chǎng)在該帶負(fù)電的顆粒上施加靜電力，該力促使該帶負(fù)電的顆粒靠著該第一電極并遠(yuǎn)離該傳輸區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中：

該第二電極配置為在該室中靜電安裝該晶片用以處理；

該第二電極傾向于將帶正電的顆粒釋放進(jìn)該室的該傳輸區(qū)域；和

所配置的電源使得該電場(chǎng)在該帶正電的顆粒上施加靜電力，該力促使該帶正電的顆粒朝向該第二電極并遠(yuǎn)離該傳輸區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中：

該室中的顆粒包括在這些電極之間的傳輸區(qū)域中的帶負(fù)電的顆粒和從該第二電極釋放的帶正電的顆粒；和

該電源配置為建立該電場(chǎng)，通過施加正DC電勢(shì)到該第一電極以及該第二電極接地而建立該電場(chǎng)，該電場(chǎng)施加靜電力，其將帶負(fù)電的顆粒保持靠著該第一電極并遠(yuǎn)離該傳輸區(qū)域，該力促使帶正電的顆粒朝向該第二電極并遠(yuǎn)離該傳輸區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中該正DC電勢(shì)在從約30伏特到約100伏特的范圍。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中該正DC電勢(shì)在約30伏特到約100伏特的范圍。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，該設(shè)備進(jìn)一步包括：

晶片傳輸單元，配置為在該傳輸區(qū)域移動(dòng)并與這些電極隔開用以移動(dòng)所釋放的晶片離開該室，該移動(dòng)在該傳輸區(qū)域內(nèi)以及所釋放的晶片保持為遠(yuǎn)離被捕獲在該靜電卡盤處的顆粒。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中：

帶負(fù)電的顆粒傾向于等離子處理晶片之后在該室中；和

所配置的電源使得該電場(chǎng)在這些電極之間施加靜電力以促使帶負(fù)電的顆粒靠著該第一電極并遠(yuǎn)離由該晶片傳輸單元移動(dòng)的晶片。

9.減少晶片等離子處理后工藝室中的傳輸區(qū)域中顆粒數(shù)量的設(shè)備，該設(shè)備配置為運(yùn)行在兩個(gè)狀態(tài)，第一狀態(tài)是處理該晶片的狀態(tài)，第二狀態(tài)是用以將該處理后的晶片從該室移出的晶片傳輸狀態(tài)，該設(shè)備包括：

具有多狀態(tài)的第一電極，安裝在該工藝室內(nèi)；

具有多狀態(tài)的第二電極，安裝在該室內(nèi)并與該第一電極隔開，該第二電極配置為在晶片處理后使該晶片解除卡緊進(jìn)入傳輸區(qū)域；和

電極偏置控制器，配置為偏置這些電極用以運(yùn)行在每個(gè)狀態(tài)，對(duì)于該晶片傳輸狀態(tài)該控制器配置為在同一時(shí)刻（i）將該第二電極接地，（ii）施加正DC電勢(shì)至該第一電極，和（iii）使得該第二電極解除卡緊該晶片以便于將該晶片置于該傳輸區(qū)域中，

其中該第一電極是上部電極，該第二電極是下部電極，和

該設(shè)備進(jìn)一步包括晶片傳輸臂，安裝為移進(jìn)和移出該室，該臂配置為移動(dòng)在該傳輸區(qū)域中；其中：

該第二電極配置成靜電卡盤，其設(shè)有晶片安裝表面和限定為穿過該表面的通道，該通道配置為引導(dǎo)解除卡緊氣體至該晶片以將該晶片從該表面解除卡緊并便于晶片在晶片處理后移進(jìn)該傳輸區(qū)域；和

該正DC電勢(shì)跨過該傳輸區(qū)域從該第一電極到該第二電極以促使帶電顆粒離開該傳輸區(qū)域從而由該臂在該傳輸區(qū)域移動(dòng)的該處理后的并解除卡緊的晶片經(jīng)受減少數(shù)量的帶電顆粒。