[發明專利]微機電系統用可動質量塊的制造方法在審
| 申請號： | 201310632884.8 | 申請日： | 2013-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN104671192A | 公開（公告）日： | 2015-06-03 |
| 發明（設計）人： | 荊二榮;夏長奉 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華半導體有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 無錫互維知識產權代理有限公司 32236 | 代理人： | 龐聰雅 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 微機 系統 用可動 質量 制造 方法 | ||
1.一種微機電系統用可動質量塊的制造方法，其特征在于，其包括:
提供具有正面和反面的單晶硅;
在所述單晶硅的正面淀積犧牲層;
在所述犧牲層上淀積多晶硅種子層；
通過外延工藝在所述多晶硅種子層上生成多晶硅外延層；
采用深硅刻蝕工藝自所述多晶硅外延層上表面有選擇的刻蝕出貫穿多晶硅外延層和多晶硅種子層的釋放孔，以定義出多晶硅質量塊；
經釋放孔腐蝕去除所述多晶硅質量塊周邊的犧牲層，使所述多晶硅質量塊釋放成為可動結構。
2.根據權利要求1所述的微機電系統用可動質量塊的制造方法，其特征在于，
所述犧牲層為在所述單晶硅正面淀積形成的有機高分子材料或者硅材料。
3.根據權利要求2所述的微機電系統用可動質量塊的制造方法，其特征在于，
在所述單晶硅正面淀積形成的硅材料為二氧化硅，淀積厚底為500nm-2000nm。
4.根據權利要求3所述的微機電系統用可動質量塊的制造方法，其特征在于，所述多晶硅種子層是通過低壓化學氣相沉積工藝在所述犧牲層上淀積形成的，其淀積厚度為50nm-1000nm；
所述外延工藝中的外延氣體為SiH4、SiH2CL2、SiHCL3或者SiCL4，外延溫度為900℃-1200℃，多晶硅外延層的厚度大于20μm。
5.根據權利要求4所述的微機電系統用可動質量塊的制造方法，其特征在于，
所述采用深硅刻蝕工藝自所述多晶硅外延層上表面有選擇的刻蝕出貫穿多晶硅外延層和多晶硅種子層的釋放孔，以定義出多晶硅質量塊，為：
基于設計要求的可動質量塊的位置和圖形刻蝕出釋放孔，使被釋放孔包圍的多晶硅外延層和多晶硅種子層形成符合設計要求的多晶硅質量塊。
6.根據權利要求5所述的微機電系統用可動質量塊的制造方法，其特征在于，
所述經釋放孔腐蝕去除所述多晶硅質量塊周邊的犧牲層為，
腐蝕去除位于所述釋放孔與所述單晶硅之間的二氧化硅，以及位于多晶硅質量塊與所述單晶硅之間的二氧化硅層，以使單晶硅與多晶硅質量塊分離。
7.根據權利要求5所述的微機電系統用可動質量塊的制造方法，其特征在于，
所述腐蝕為采用氣態氟化氫進行腐蝕或者采用氫氟酸溶液進行腐蝕。
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