[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310631444.0
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN104064550A
• 公開（公告）日: 2014-09-24
• 發明（設計）人: 神吉剛司
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;全萬志

1.一種半導體器件，包括：

設置在絕緣膜中的溝槽中的銅互連體；

沿所述絕緣膜與所述銅互連體之間的邊界設置在所述絕緣膜上的金屬膜；

設置在所述溝槽的內壁與所述銅互連體之間并在所述金屬膜上方延伸的阻擋金屬；

覆蓋位于所述金屬膜上方的所述阻擋金屬和所述銅互連體的第一金屬蓋件；以及

連續地覆蓋所述第一金屬蓋件、所述阻擋金屬和所述金屬膜的第二金屬蓋件。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述金屬膜為用于在所述絕緣膜中形成所述溝槽的金屬掩模的殘留物。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述金屬膜、所述阻擋金屬、所述第一金屬蓋件和所述第二金屬蓋件按此順序沿所述銅互連體與所述絕緣膜之間的所述邊界層疊在所述絕緣膜上，并且所述第二金屬蓋件連續地覆蓋所述第一金屬蓋件的端面、所述阻擋金屬的端面和所述金屬膜的端面。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述金屬膜由與所述阻擋金屬的材料不同的材料形成。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述金屬膜由使得能夠沉積所述第二金屬蓋件的材料形成。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述金屬膜的材料選自Co、Ni、Cr、Fe、Pt或Au。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第二金屬蓋件的材料選自Co、Ni、W-P、Ni-P、Ni-W-P、Co-W-P或Au。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述銅互連體為形成在襯底上的再布線互連體，所述襯底上安裝有半導體芯片。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述銅互連體為形成在半導體芯片中的全局互連體。

10.一種半導體器件的制造方法，包括：

在絕緣膜上方形成金屬掩模；

利用所述金屬掩模在所述絕緣膜中形成溝槽；

在所述溝槽的內壁上方和所述金屬掩模上方形成阻擋金屬；

經由所述阻擋金屬在所述溝槽中形成銅互連體；

通過化學鍍在所述銅互連體上方形成第一金屬蓋件，以使得所述第一金屬蓋件能夠鋪展到所述阻擋金屬的一部分上；

使用所述第一金屬蓋件作為掩模將所述阻擋金屬和所述金屬掩模的剩余部分移除，而保留位于所述第一金屬蓋件下方所述阻擋金屬的所述一部分和所述金屬掩模的部分；以及

通過化學鍍在所述第一金屬蓋件上方形成第二金屬蓋件，以連續地覆蓋所述第一金屬蓋件、所述阻擋金屬的所述一部分和所述金屬掩模的所述部分。

11.根據權利要求10所述的方法，其中使用所述第一金屬蓋件作為掩模來移除所述阻擋金屬的所述剩余部分，并且然后使用所述第一金屬蓋件和所述阻擋金屬的所述一部分的堆疊體作為掩模來移除在所述絕緣膜上的所述金屬掩模。

12.根據權利要求10所述的方法，其中所述阻擋金屬的材料與所述金屬掩模的材料不同。

13.根據權利要求10所述的方法，其中所述金屬掩模的材料使得所述第二金屬蓋件能夠沉積在所述金屬掩模上。

14.根據權利要求10所述的方法，其中所述金屬掩模的材料選自Co、Ni、Cr、Fe、Pt或Au。

15.根據權利要求10所述的方法，其中所述第二金屬蓋件的材料選自Co、Ni、W-P、Ni-P、Ni-W-P、Co-W-P或Au。