[發明專利]一種等離激元共振太陽能電池的制備方法在審
| 申請號: | 201310630421.8 | 申請日: | 2013-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN104681661A | 公開(公告)日: | 2015-06-03 |
| 發明(設計)人: | 譚秀航 | 申請(專利權)人: | 青島事百嘉電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/073 |
| 代理公司: | 無 | 代理人: | 無 |
| 地址: | 266700 山東省青島*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 離激元 共振 太陽能電池 制備 方法 | ||
技術領域
本發明提供了一種等離激元共振太陽能電池CdS/Au?NP/CdTe太陽能電池的制備方法。
背景技術
電池經歷了三代。CdS/CdTe薄膜太陽能電池是第二代太陽能電池,它不僅具有可見光響應系數高、對弱光響應好,而且制備技術簡單、成本相對較低。但據有關研究報道18%的光電轉化效率已經是CdS/CdTe薄膜太陽能電池的極限,但相對人們對能量的需求而言效率仍然很低,而且它的性能并不穩定,隨著溫度等有關因素的變化而發生改變。本文把等離子共振技術應用到CdS/CdTe薄膜太陽能電池中形成第三代等離激元共振太陽能電池CdS/Au?NP/CdTe太陽能電池。是一種新型理想的太陽能電池。
發明內容
本發明的目的就是針對現有研究不足,提供一種等離激元共振太陽能電池CdS/Au?NP/CdTe太陽能電池的制備方法。
其技術方案是:采本文是將Au納米顆粒制備在CdS/CdTe?薄膜太陽能電池中間,形成CdS/Au?NP/CdTe?等離激元共振太陽能電池,電池厚度1-2?微米,這種太陽能電池可以制備在價格比較便宜的玻璃、塑料、陶瓷等基底上。
本發明的特點是CdS/AuNP/CdTe等離激元共振太陽能電池的對可見光響應系數高,金納米粒子的等離子共振峰也主要是在可見光譜區,局域等離子共振將會使太陽能電池的近場吸收和遠場散射增強,增加電池的光電轉換率,為新能源研究開辟新的領域。
具體實施方式
1、CdS?納米薄膜的制備
先將30?ml?0.04?mol/l?的乙酸鎘,30?ml?0.04?mol/l?的乙酸銨加入150?ml?的大口燒杯中混合均勻,?然后邊攪動邊把26?ml?1?mol/l?的氨水加入其中,再攪動幾分鐘,得到均勻的溶液,再把20?ml?0.05?mol/l?的硫脲加入混合溶液中得到反應液。把裝有反應液的大口燒杯放入恒溫水箱中,溫度控制在80?0C?左右,沉淀時間選折40~90?分鐘。
2、Au?納米顆粒的制備
真空磁控陰極濺射法:真空磁控陰極濺射是用金做陰極靶材,先抽真空,當真空度達到某一范圍時,在金靶上通以負高壓,將發生輝光放電而產生等離子體,高速運動的等離子體碰撞濺射氣體使其電離,從而帶正電的離子向陰極金靶運動轟擊金靶而使其發射金原子,金原子最后沉淀在基底上形成薄膜,經過退火后,將會形成大小均勻的類球形納米顆粒。
3、CdTe?納米薄膜的制備
CdTe是直接帶隙p型半導體,禁帶寬度為1.45eV,用濃硫酸和去離子水配置出1≤PH≤3?的酸性溶液500ml,將1?g的TeO2緩慢加入其中,邊加入邊攪拌,加入完成并靜置一段時間后得到的是TeO2飽和溶液。取?140?ml?TeO2飽和溶液加入?150?ml的反應杯中,再向反應杯中加入10?g的硫酸鎘(CdSO4)粉末,放入磁子。將反應杯放入水浴燒杯中,再把水浴燒杯放置在恒溫磁力攪拌器上,調節恒溫磁力攪拌器溫度到80?攝氏度,調節轉速均勻電解液表面不出現漩渦。當溫度達到80?攝氏度且溶液均勻后,將陽極電極和陰極襯底置入其中,加以恒流源,恒流源的電流要保證恒定電流密度為0.1?mA/cm2。反應時間一般5~30?分鐘。
4、CdS/Au?NP/CdTe?等離基元共振太陽能電池的制備
以CdTe/Au?NP為襯底,在其上水浴法用由乙酸鎘溶液、乙酸銨溶液、氨水溶液和硫脲溶液配制的反應液制備制備一層硫化鎘納米薄膜。溫度控制在80?攝氏度,CdTe/AuNP?靜置懸吊其中時,切記溶液不能沒過CdTe/Au?NP?樣品,防止CdTe/Au?NP完全被覆蓋。一個小時后得到CdS/Au?NP/CdTe?太陽能薄膜電池樣品,用去離子水清洗干凈,由真空干燥箱干燥。
CdS/Au?NP/CdTe?太陽能薄膜電池的三層結構,最上面一層是硫化鎘納米薄膜,中間一層是離散分布的金納米粒子,底層是碲化鎘納米薄膜,最下面的氧化銦錫導電玻璃。三層結構很清晰,薄膜很致密均勻。
另外,本發明創造不意味著說明書所局限,在沒有脫離設計宗旨的前提下可以有所變化。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于青島事百嘉電子科技有限公司;,未經青島事百嘉電子科技有限公司;許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310630421.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





