[發明專利]分割晶圓的方法以及集成電路晶圓

無效

• 申請號: 201310625141.8
• 申請日: 2013-11-28
• 公開（公告）號: CN103855088A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 薩沙·默勒;馬丁·拉普克
• 申請（專利權）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L27/04
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種分割晶圓的方法，該晶圓具有硅襯底和位于硅襯底正面上的金屬化層，其特征在于，該方法包括：

在金屬化層中沿著各個切片槽形成溝道，各個切片槽位于金屬化層中的多個集成電路之間，并且在金屬化層的正面和硅襯底的背面之間延伸；

將硅襯底的背面減薄；

在將硅襯底的背面減薄之后，通過經由硅襯底的背面施加激光來改變部分硅襯底的晶體結構，這部分硅襯底位于切片槽中，并且偏離硅襯底的背面和金屬化層；以及

通過拉伸硅襯底同時利用改變的晶體結構和溝道來沿著切片槽分割集成電路，其中

使裂紋在硅襯底中沿著切片槽擴展，以及

減少硅襯底和金屬化層在切片槽之外斷裂。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，改變部分硅襯底的晶體結構包括，改變偏離金屬化層和硅襯底的背面的部分硅襯底的晶體結構，并且使部分硅襯底的晶體結構立即與金屬化層和未發生改變的背面靠近。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，改變部分硅襯底的晶體結構包括，經由背面對硅襯底施加激光脈沖以熔化硅襯底，然后再沿著切片槽使硅襯底結晶。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，施加激光脈沖包括，使激光在金屬化層和硅襯底的背面之間的硅襯底中集中匯聚在一個點上。

5.如權利要求3所述的方法，其特征在于，施加激光脈沖包括，施加連續的激光脈沖，使脈沖之間的時間間隔足夠防止襯底的溫度超過可能損壞集成電路的閾值。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，改變部分硅襯底的晶體結構包括：

改變硅襯底中的第一部分的晶體結構，該第一部分位于切片槽中，并且在硅襯底的第一深度處；以及

改變硅襯底中的第二部分的晶體結構，該第二部分位于切片槽中，并且在硅襯底的第二深度處，硅襯底中的第一深度和第二深度通過切片槽中晶體結構未發生改變的部分硅襯底被分隔開。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在金屬化層中形成溝道包括，形成深度小于金屬化層的厚度的溝道。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，在金屬化層中形成溝道包括，形成深度是金屬化層的厚度的90％的溝道。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在金屬化層中形成溝道之后并且在將硅襯底的背面減薄之前，

將第一層支撐帶放置在金屬化層上；以及

當使用該支撐帶來支撐晶圓和減少晶圓的斷裂時，將晶圓倒裝以使晶圓正面朝下。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，還包括將切割帶放置在第一層支撐帶的背面上。

11.如權利要求9所述的方法，其特征在于，

在金屬化層中形成溝道包括形成不完全延伸通過金屬化層的溝道，在金屬化層和未發生改變的硅襯底之間留有接口；

施加激光包括將激光集中以使切片槽中的部分硅襯底的晶體結構靠近背面和未發生改變的接口；以及

還包括在沿著切片槽分割集成電路之前，利用接口處的金屬化層和切片槽中硅襯底的未發生改變的部分來減少晶圓的斷裂。

12.如權利要求11所述的方法，其特征在于，還包括在改變部分硅襯底的晶體結構之后并且在分割集成電路之前：

將第二層支撐帶放置在晶圓的背面上；

去除第一層支撐帶；以及

在分割集成電路的同時使用第二層支撐帶、接口處的金屬化層以及切片槽中硅襯底的未發生改變的部分來減少晶圓的斷裂時，將晶圓倒裝以使晶圓正面朝上。

13.如權利要求12所述的方法，其特征在于，還包括在將晶圓倒裝以使晶圓正面朝上之前，將一層切割帶放置在第二層支撐帶的背面上。