[發明專利]碘化銫閃爍屏

在審

• 申請號: 201310619417.1
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN103700419A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 范波;徐碩;李明
• 申請（專利權）人: 江蘇龍信電子科技有限公司
• 主分類號: G21K4/00
• 分類號: G21K4/00
• 代理公司: 北京瑞思知識產權代理事務所(普通合伙) 11341
• 代理人: 李濤

技術領域

本發明涉及功能薄膜材料的技術領域，更具體地說，本發明涉及一種碘化銫閃爍屏。

背景技術

無機閃爍體（inorganic?scintillator）在輻射探測中起著非常重要的作用，廣泛應用于影像核醫學、核物理、高能物理、工業CT、油井勘探和安全檢查等領域。目前研究和應用最多的是無機閃爍體，而這其中具有高亮度、高分辨率的碘化銫閃爍體應用最為廣泛。但是碘化銫材料為吸濕性材料，當其吸收空氣中的水分而潮解時，會使得閃爍體的特性，特別是圖像分辨率大大降低，因此，如何有效的封裝閃爍體更尤為重要。而不同的基板其封裝的工藝也都不相同。

目前，作為代表性的碘化銫閃爍體，是以碳材料為基板來生長碘化銫閃爍體，封裝方式為浜松光子學株式會社的鍍膜封裝方法，如專利為WO99/66348、WO02/23219以及JP170092/1998所公布的封裝方法。該碘化銫閃爍體封裝方式首先通過CVD法在碘化銫表面鍍一層厚為10um的聚對二甲苯層，然后濺射一層200nm的SiO₂膜，最后CVD法形成一層10um聚對二甲苯層。

然而，利用CVD法蒸鍍聚對二甲苯膜及濺射SiO₂層作為用來使閃爍體免受濕氣影響的防濕屏障，最少需要兩種設備即CVD設備和濺射設備來完成整個封裝過程，可見，這種封裝方法存在流程復雜、生產成本高的問題。同時，利用蒸鍍的方法來封裝，必需加工掩膜板來保護不需要被覆蓋的地方，如連接腳等，這樣大大增加了工藝的復雜度。而且通過CVD方法形成聚對二甲苯的有機膜保護層的速度大約為100至2000埃/分鐘，因此形成20um的閃爍體保護層需要2000分鐘至100分鐘，這種現有的封裝技術存在生產率較低的問題。

發明內容

本發明主要解決的技術問題是提供一種碘化銫閃爍屏，能夠實現阻水防水的效果，提高剛性，還可以大大降低閃爍體的封裝成本，提高封裝效率。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供一種碘化銫閃爍屏，包括：反射基板、碘化銫閃爍體層、防水透明薄膜和襯底層，其中，

所述碘化銫閃爍體層沉積在所述反射基板的上表面，所述碘化銫閃爍體層的四周設有向外傾斜的斜坡，且所述反射基板的上表面尺寸大于所述碘化銫閃爍體層的下表面尺寸；

所述防水透明薄膜壓合在所述碘化銫閃爍體層的上表面，所述防水透明薄膜的四周同樣設有斜坡與所述碘化銫閃爍體層四周的斜坡相壓合，且所述防水透明薄膜的斜坡下方設有壓腳，壓合在所述反射基板的上表面；

所述襯底層粘接在所述反射基板的下表面，且所述襯底層的上表面尺寸大于所述反射基板的下表面尺寸，所述反射基板的外側通過密封膠將所述碘化銫閃爍體層和所述防水透明薄膜固定起來。

在本發明的一個較佳實施例中，所述密封膠的下表面與所述襯底層相貼合，所述密封膠的外表面與所述襯底層的外表面齊平，所述密封膠的上表面低于所述防水透明薄膜的上表面。

在本發明的一個較佳實施例中，所述反射基板的材質為金屬材料或無機材料。

在本發明的一個較佳實施例中，所述反射基板為鋁板。

在本發明的一個較佳實施例中，所述碘化銫閃爍體層的厚度為0.2-0.8mm。

在本發明的一個較佳實施例中，所述防水透明薄膜的材質為高分子材料或無機材料。

在本發明的一個較佳實施例中，所述襯底層為高分子塑料板、碳制基板或者輕金屬板。

本發明的有益效果是：采用可見光反射率大于等于80%、水蒸氣透過率小于等于0.1g/m²·day^-1、X射線吸收率小于等于5%的材料作為高反射基板材料，同時采用可見光透過率大于等于80%、水蒸氣透過率小于等于0.1g/m²·day^-1，的防水透明薄膜，將X射線轉化為可見光的摻雜碘化鉈的碘化銫厚膜作為碘化銫閃爍體層，并在碘化銫閃爍體層的四周邊緣設置水蒸氣透過率小于等于0.1g/m²·day^-1的密封膠，在高反射基板的下面粘接X射線吸收率小于等于5%的襯底層，能夠實現碘化銫閃爍屏阻水防水的效果，提高其剛性，還可以大大降低閃爍體的封裝成本，提高封裝效率。

附圖說明

圖1為本發明一種碘化銫閃爍屏一較佳實施例的結構示意圖；

附圖中各部件的標記如下：1、防水透明薄膜，11、壓腳，2、碘化銫閃爍體層，3、密封膠，4、反射基板，5、襯底層。

具體實施方式