[發(fā)明專利]用于PHOLED的具有氮雜-二苯并噻吩或氮雜-二苯并呋喃核的新材料有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310612970.2 | 申請日： | 2010-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN103788113B | 公開（公告）日： | 2016-11-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | C·林;馬斌;R·孔;B·佳特金;W·勇剛;Z·M·埃爾什那威 | 申請（專利權(quán)）人： | 通用顯示公司 |
| 主分類號： | C07D495/04 | 分類號： | C07D495/04;C07D491/048;H01L51/54 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人： | 寧家成 |
| 地址： | 美國新*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 pholed 具有 噻吩 呋喃 新材料 | ||
1.下式的化合物：
其中X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7和X8獨(dú)立地選自碳原子和氮原子；
其中X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7和X8的至少之一為氮原子；
其中Y為S或O；
其中R1和R2可以表示單取代、二取代、三取代或四取代；
其中R1和R2獨(dú)立地選自氫、烷基、芳基和鹵素；并且
其中R1和R2的至少之一選自：
其中R’1、R’2、R’3和R’4可以表示單取代、二取代、三取代、四取代或五取代；并且
其中R’1、R’2、R’3和R’4獨(dú)立地選自氫、烷基、雜烷基、芳基和雜芳基。
2.權(quán)利要求1的化合物，其中該化合物具有下式：
其中X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7和X8獨(dú)立地選自碳原子和氮原子；
其中X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7和X8的至少之一為氮原子；
其中Y為S或O；
其中R1和R2可以表示單取代、二取代、三取代或四取代；
其中R1和R2獨(dú)立地選自氫、烷基、芳基和鹵素；并且
其中R1和R2的至少之一選自：
其中R’1、R’2、R’3和R’4可以表示單取代、二取代、三取代、四取代或五取代；并且
其中R’1、R’2、R’3和R’4獨(dú)立地選自氫、烷基、雜烷基、芳基和雜芳基。
3.權(quán)利要求1的化合物，其中m和n為0、1、2、3或4；并且其中m+n等于或大于2并且m+n等于或小于6。
4.權(quán)利要求1的化合物，其中R1和R2之一選自：
其中R’1、R’2、R’3和R’4獨(dú)立地選自氫、烷基、雜烷基、芳基和雜芳基；并且
其中R1和R2中的另一個(gè)為氫。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于通用顯示公司，未經(jīng)通用顯示公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310612970.2/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
