[發(fā)明專利]一種流體壓力傳感器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310611116.4 | 申請(qǐng)日: | 2013-11-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103604556A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-02-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王進(jìn)朝;柳東強(qiáng);郭玉剛;封玉軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 無(wú)錫市納微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01L9/06 | 分類號(hào): | G01L9/06;G01L27/00 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
| 地址: | 214000 江蘇省無(wú)*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 流體 壓力傳感器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及傳感器技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種流體壓力傳感器。
背景技術(shù)
流體壓力傳感器內(nèi)部使用基于硅基MEMS技術(shù)加工的壓力傳感器芯片,稱為MEMS壓力傳感器芯片。在流體壓力傳感器中,當(dāng)流體壓力作用于MEMS壓力傳感器芯片上時(shí),引起壓力敏感膜片發(fā)生形變,壓力敏感膜片上的壓敏電阻由于壓阻效應(yīng)而產(chǎn)生電阻變化,從而導(dǎo)致壓力感測(cè)元件中由壓敏電阻組成的惠斯頓電橋產(chǎn)生電信號(hào)輸出,實(shí)現(xiàn)了壓力信號(hào)到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換。
現(xiàn)有技術(shù)中,流體壓力傳感器包含取樣管和與取樣管配合連接的殼體底座,在殼體底座中,設(shè)置有MEMS壓力傳感器芯片和校準(zhǔn)芯片,MEMS壓力傳感器芯片和校準(zhǔn)芯片分開(kāi)設(shè)置在所述殼體底座中,因此占用傳感器的空間較大。而且,在現(xiàn)有技術(shù)中,取樣管和殼體底座限位配合后通過(guò)膠水密封,并不能保證固定的牢固度。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的目的在于提出一種流體壓力傳感器,能夠縮小流體壓力傳感器的體積。
為達(dá)此目的,本發(fā)明提供了一種流體壓力傳感器,包含取樣管和與所述取樣管配合連接的殼體底座,在所述殼體底座中設(shè)置有集成芯片,所述集成芯片由MEMS壓力傳感器芯片和校準(zhǔn)芯片集成,并且所述MEMS壓力傳感器芯片和所述校準(zhǔn)芯片相連接,其中,所述MEMS壓力傳感器芯片用于感測(cè)液體的壓力并進(jìn)行輸出,所述校準(zhǔn)芯片用于對(duì)所述MEMS壓力傳感器芯片的輸出進(jìn)行補(bǔ)償。
優(yōu)選地,所述MEMS壓力傳感器芯片包含:
襯底,其底部具有凹槽;
壓力敏感膜片,位于所述凹槽上,并且可變形;
壓力感測(cè)元件,位于所述壓力敏感膜片上,具有二個(gè)以上壓敏電阻,
并且,所述殼體底座具有與所述凹槽相配合的通氣孔。
優(yōu)選地,所述MEMS壓力傳感器芯片和所述校準(zhǔn)芯片通過(guò)金絲電連接。
優(yōu)選地,所述取樣管和所述殼體底座通過(guò)卡扣或者螺旋配合的方式連接。
優(yōu)選地,在所述取樣管和所述殼體底座通過(guò)卡扣或者螺旋配合的方式進(jìn)行連接后的結(jié)合處添加殼體粘結(jié)劑進(jìn)行固定。
優(yōu)選地,所述集成芯片表面設(shè)置有凝膠。
優(yōu)選地,在所述殼體底座上所述通氣孔周邊設(shè)置限位塊,所述限位塊與所述壓力敏感膜片之間具有預(yù)定距離,所述集成芯片通過(guò)位于所述限位塊與所述MEMS壓力傳感器芯片的襯底之間的芯片粘結(jié)劑固定在所述殼體底座的底部上。
優(yōu)選地,所述殼體底座的底部設(shè)置有金屬導(dǎo)線,所述金屬導(dǎo)線通過(guò)所述底部延伸到所述殼體底座外側(cè),形成與外部電路連接的端子。
優(yōu)選地,所述MEMS壓力傳感器芯片和所述校準(zhǔn)芯片通過(guò)金絲與所述金屬導(dǎo)線連接。
本發(fā)明通過(guò)在流體壓力傳感器的殼體底座中設(shè)置MEMS壓力傳感器芯片和校準(zhǔn)芯片集成的集成芯片,能夠縮小流體壓力傳感器。
附圖說(shuō)明
圖1是本發(fā)明實(shí)施例的流體壓力傳感器的正視圖;
圖2是本發(fā)明實(shí)施例的流體壓力傳感器的俯視圖;
圖3是本發(fā)明實(shí)施例的流體壓力傳感器的仰視圖;
圖4是本發(fā)明實(shí)施例的流體壓力傳感器的側(cè)視圖;
圖5是本發(fā)明實(shí)施例的流體壓力傳感器沿A-A線的截面剖視圖;
圖6是本發(fā)明實(shí)施例的流體壓力傳感器沿B-B線的截面剖視圖;以及
圖7A和圖7B是本發(fā)明實(shí)施例的流體壓力傳感器的取樣管的示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖并通過(guò)具體實(shí)施方式來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案。可以理解的是,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明,而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說(shuō)明的是,為了便于描述,附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部?jī)?nèi)容。
圖1是本發(fā)明實(shí)施例的流體壓力傳感器的正視圖;圖2是本發(fā)明實(shí)施例的流體壓力傳感器的俯視圖;圖3是本發(fā)明實(shí)施例的流體壓力傳感器的仰視圖;圖4是本發(fā)明實(shí)施例的流體壓力傳感器的側(cè)視圖;圖5是本發(fā)明實(shí)施例的流體壓力傳感器沿A-A′線的截面剖視圖。
如圖1至圖5所示,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種流體壓力傳感器,包含取樣管1和與所述取樣管1配合連接的殼體底座2,在所述殼體底座2中設(shè)置有集成芯片,所述集成芯片由MEMS壓力傳感器芯片212和校準(zhǔn)芯片213集成,并且所述MEMS壓力傳感器芯片212和所述校準(zhǔn)芯片213相連接,其中,所述MEMS壓力傳感器芯片212用于感測(cè)液體的壓力,并將感測(cè)的壓力信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)進(jìn)行輸出,所述校準(zhǔn)芯片213用于對(duì)所述MEMS壓力傳感器芯片212的輸出進(jìn)行補(bǔ)償。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于無(wú)錫市納微電子有限公司,未經(jīng)無(wú)錫市納微電子有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310611116.4/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G01L 測(cè)量力、應(yīng)力、轉(zhuǎn)矩、功、機(jī)械功率、機(jī)械效率或流體壓力
G01L9-00 用電或磁的壓敏元件測(cè)量流體或流動(dòng)固體材料的穩(wěn)定或準(zhǔn)穩(wěn)定壓力;用電或磁的方法傳遞或指示機(jī)械壓敏元件的位移,該機(jī)械壓敏元件是用來(lái)測(cè)量流體或流動(dòng)固體材料的穩(wěn)定或準(zhǔn)穩(wěn)定壓力的
G01L9-02 .利用改變歐姆電阻值的,例如,使用電位計(jì)
G01L9-08 .利用壓電器件的
G01L9-10 .利用電感量變化的
G01L9-12 .利用電容量變化的
G01L9-14 .涉及磁體位移的,例如,電磁體位移的





