[發(fā)明專利]芯片封裝件及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310608588.4
• 申請日: 2013-11-26
• 公開（公告）號: CN103730438A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬慧舒
• 申請（專利權(quán)）人: 三星半導(dǎo)體（中國）研究開發(fā)有限公司;三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/14;H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 王占杰;薛義丹

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種芯片封裝件及其制造方法。具體地說，本發(fā)明涉及一種利用磁力的芯片封裝件及其制造方法。

背景技術(shù)

隨著電子元件的小型化、輕量化和多功能化，對半導(dǎo)體芯片封裝的要求越來越高。

圖1是示出現(xiàn)有技術(shù)中利用磁力的芯片封裝件的剖視圖。

如圖1中所示，現(xiàn)有技術(shù)中的芯片封裝件包括半導(dǎo)體芯片110、封裝件基底120、導(dǎo)電磁性凸起130、各向異性導(dǎo)電構(gòu)件140和外部端子150。其中，導(dǎo)電磁性凸起130可以設(shè)置在半導(dǎo)體芯片110和封裝件基底120之間，各向異性導(dǎo)電構(gòu)件140布置在半導(dǎo)體芯片110和封裝件基底120之間并且具有各向異性導(dǎo)電粘合劑和導(dǎo)電磁性顆粒142。

由于芯片通過導(dǎo)電磁性凸起130與各向異性導(dǎo)電構(gòu)件140之間的磁力附合到基底，因此，芯片封裝件的整體厚度增加，并且由于需要各向異性導(dǎo)電粘合劑，以及需要粘合和固化工藝來形成芯片封裝件，因此工藝繁雜并且所需材料較多。

從而，需要一種能夠降低芯片封裝件的整體厚度，并且制造工藝簡單，節(jié)省材料的芯片封裝件。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，而提供一種新型的芯片封裝件及其制造方法。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的一方面提供了一種具有磁性基底的芯片封裝件，所述芯片封裝件包括：基底，具有磁性微粒區(qū)域；芯片，在芯片的第一表面上形成有焊盤并且第一表面背離基底；磁性微粒層，涂覆在芯片的第二表面上并且與磁性微粒區(qū)域相對以在磁性微粒層與磁性微粒區(qū)域之間形成磁力，其中，芯片通過磁性微粒層與磁性微粒區(qū)域之間的磁力附著到基底上；導(dǎo)線，用于將芯片上的焊盤電連接到基底；以及包封層，用來包封并保護芯片和基底。

在本發(fā)明的一個示例性實施例中，磁性微粒層占據(jù)芯片的第二表面的全部區(qū)域的至少30%。

在本發(fā)明的另一示例性實施例中，磁性微粒層占據(jù)芯片的第二表面的彼此分隔開的區(qū)域。

在本發(fā)明的又一示例性實施例中，當(dāng)磁性微粒層占據(jù)芯片的第二表面的全部區(qū)域的至少30%時，磁性微粒區(qū)域的面積與磁性微粒層的面積至少相等。

在本發(fā)明的示例性實施例中，磁性微粒區(qū)域布置在基底中。

本發(fā)明的示例性實施例提供了一種制造具有磁性基底的芯片封裝件的方法，所述方法包括：準(zhǔn)備一側(cè)表面上具有焊盤而另一側(cè)表面上涂覆磁性微粒層的芯片；將芯片放置在具有磁性微粒區(qū)域的基底上，使芯片的涂覆磁性微粒層的表面與磁性微粒區(qū)域相對；通過導(dǎo)線將芯片的焊盤電連接到基底；用包封材料包封基底和芯片，從而形成芯片封裝件。

在本發(fā)明的示例性實施例中，磁性微粒層占據(jù)芯片的第二表面的全部區(qū)域的至少30%。

在本發(fā)明的示例性實施例中，磁性微粒層占據(jù)芯片的第二表面的彼此分隔開的區(qū)域。

在本發(fā)明的示例性實施例中，當(dāng)磁性微粒層占據(jù)芯片的第二表面的全部區(qū)域的至少30%時，磁性微粒區(qū)域的面積與磁性微粒層的面積至少相等。

在本發(fā)明的示例性實施例中，磁性微粒區(qū)域布置在基底中。

附圖說明

通過下面結(jié)合示例性地示出一例的附圖進(jìn)行的描述，本發(fā)明的上述和其他目的和特點將會變得更加清楚，其中：

圖1是示出現(xiàn)有技術(shù)中的芯片封裝件的剖視圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的芯片封裝件的剖視圖。

圖3a至圖3d是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的芯片封裝件的制造方法的剖視圖。

具體實施方式

以下，參照附圖來詳細(xì)說明本發(fā)明的示例性實施例的芯片封裝件和制造該芯片封裝件的方法。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的芯片封裝件的剖視圖。如圖2中所示，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的芯片封裝件200可以包括基底210、芯片220、磁性微粒層224和包封層230。

基底210可以是由各種絕緣材料以任意形狀形成的絕緣基底。基底210可以上形成有各種布線，以便于各種電路連接。基底210中可以形成有磁性微粒區(qū)域214。

磁性微粒層224可以是通過真空蒸發(fā)、電沉積、濺射、外延生長、化學(xué)鍍膜等工藝涂覆在芯片220上的薄層。

芯片220可以通過磁性微粒層224與基底210中的磁性微粒區(qū)域214之間的磁力附著到基底210上。芯片220上可以具有焊盤226，焊盤226可以通過導(dǎo)線227電連接到基底210上，以實現(xiàn)芯片220與基底210上的電路之間的電通信。導(dǎo)線227可以是金線、銅線和鋁線等。