[發(fā)明專(zhuān)利]一種光學(xué)防偽元件及使用該光學(xué)防偽元件的光學(xué)防偽產(chǎn)品有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310596824.5 | 申請(qǐng)日: | 2013-11-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104647936B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-05-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張寶利;朱軍;王曉利;曲欣;張巍巍 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中鈔特種防偽科技有限公司;中國(guó)印鈔造幣總公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | B42D25/30 | 分類(lèi)號(hào): | B42D25/30;B42D25/40 |
| 代理公司: | 北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11283 | 代理人: | 陳瀟瀟,肖冰濱 |
| 地址: | 100070 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 光學(xué) 防偽 元件 使用 產(chǎn)品 | ||
1.一種光學(xué)防偽元件,該光學(xué)防偽元件包括:
基材;
形成于所述基材的同一表面上的第一表面浮雕結(jié)構(gòu)層和第二表面浮雕結(jié)構(gòu)層,其中所述第一表面浮雕結(jié)構(gòu)層的表面積與表觀面積的比值小于所述第二表面浮雕結(jié)構(gòu)層的表面積與表觀面積的比值;以及
形成于所述第一表面浮雕結(jié)構(gòu)層上的第一干涉型多層鍍層和/或形成于所述第二表面浮雕結(jié)構(gòu)層上的第二干涉型多層鍍層;
所述第一表面浮雕結(jié)構(gòu)層和/或第二表面浮雕結(jié)構(gòu)層是非衍射表面浮雕結(jié)構(gòu)或衍射表面浮雕結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)防偽元件,其中,所述第一表面浮雕結(jié)構(gòu)層和所述第二表面浮雕結(jié)構(gòu)層為連續(xù)曲面型結(jié)構(gòu)、矩形結(jié)構(gòu)、鋸齒型棱鏡結(jié)構(gòu)和/或它們的拼接或組合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)防偽元件,其中,在平行于所述基材的所述表面的一個(gè)方向上,所述第一表面浮雕結(jié)構(gòu)層和所述第二表面浮雕結(jié)構(gòu)層的特征尺寸位于使得所述第一表面浮雕結(jié)構(gòu)層和所述第二表面浮雕結(jié)構(gòu)層各自能夠呈現(xiàn)非衍射特征的第一范圍內(nèi)或者位于使得所述第一表面浮雕結(jié)構(gòu)層和所述第二表面浮雕結(jié)構(gòu)層各自能夠呈現(xiàn)衍射特征的第二范圍內(nèi)或者所述第一表面浮雕結(jié)構(gòu)層和所述第二表面浮雕結(jié)構(gòu)層中的其中之一的特征尺寸位于所述第一范圍內(nèi)而另一個(gè)的特征尺寸位于所述第二范圍內(nèi),而且當(dāng)所述一個(gè)方向上的特征尺寸滿足要求時(shí),與所述一個(gè)方向垂直的另一個(gè)方向上的特征尺寸不受限制。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)防偽元件,其中,所述第一范圍為2μm-200μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)防偽元件,其中,所述第一范圍為5μm-100μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)防偽元件,其中,所述第二范圍為所述特征尺寸小于2μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)防偽元件,其中,所述第二范圍為0.2μm-1μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)防偽元件,其中,當(dāng)所述第一表面浮雕結(jié)構(gòu)層、所述第二表面浮雕結(jié)構(gòu)層呈現(xiàn)非衍射特征時(shí),所述第一表面浮雕結(jié)構(gòu)層、所述第二表面浮雕結(jié)構(gòu)層在垂直于所述基材的所述表面的方向上的起伏高度小于25μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)防偽元件,其中,所述起伏高度小于15μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)防偽元件,其中,當(dāng)所述第一表面浮雕結(jié)構(gòu)層、所述第二表面浮雕結(jié)構(gòu)層呈現(xiàn)衍射特征時(shí),所述第一表面浮雕結(jié)構(gòu)層、所述第二表面浮雕結(jié)構(gòu)層在垂直于所述基材的所述表面的方向上的起伏高度小于2μm。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光學(xué)防偽元件,其中,所述起伏高度位于50nm-500nm的范圍內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)防偽元件,其中,所述第一干涉型多層鍍層和所述第二干涉型多層鍍層分別與所述第一表面浮雕結(jié)構(gòu)層和所述第二表面浮雕結(jié)構(gòu)層同形覆蓋。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)防偽元件,其中,所述第一干涉型多層鍍層和所述第二干涉型多層鍍層各自能夠包括下述各項(xiàng)中的任意一種或其組合:由吸收層、低折射率介質(zhì)層和反射層依次堆疊形成的干涉型多層鍍層,其中該反射層或吸收層與相應(yīng)的表面浮雕結(jié)構(gòu)層相接觸;由高折射率介質(zhì)層、低折射率介質(zhì)層和高折射率介質(zhì)層依次堆疊形成的干涉型多層鍍層;以及由吸收層、高折射率介質(zhì)層和反射層依次堆疊形成的干涉型多層鍍層,其中,該反射層或吸收層與相應(yīng)的表面浮雕結(jié)構(gòu)層相接觸。
14.根據(jù)權(quán)利要求1-13中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光學(xué)防偽元件,其中,其中所述光學(xué)防偽元件還包括形成于所述基材的所述表面上、所述第一表面浮雕結(jié)構(gòu)層的表面上和/或所述第二表面浮雕結(jié)構(gòu)層的表面上的衍射光變特征、微納結(jié)構(gòu)特征、印刷特征、部分金屬化特征以及用于機(jī)讀的磁、光、電、放射性特征中的一種或多種特征。
15.一種采用根據(jù)權(quán)利要求1-14中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光學(xué)防偽元件的光學(xué)防偽產(chǎn)品。
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