[發明專利]復合漸變折射層結構及包括此結構的封裝結構

無效

• 申請號: 201310586720.6
• 申請日: 2013-11-20
• 公開（公告）號: CN103887441A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 陳俊廷;林昆蔚;賴豐文
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種復合漸變折射層結構，包括：

基板；以及

復合漸變折射(graded?refractive?index,GRI)層，形成于該基板上，其中該復合漸變折射層具有第一表面與一第二表面，該第一表面為一入光側，該第二表面為一出光側，該復合漸變折射層的各層由氧化鋅硅所構成，且該復合漸變折射層的折射率自該第一表面至該第二表面遞減。

2.如權利要求1所述的復合漸變折射層結構，其中該氧化鋅硅具有化學式ZnxSiyOz，0≤x≤1，0≤y≤1，0<z≤3。

3.如權利要求1所述的復合漸變折射層結構，其中該復合漸變折射層的折射率介于1.46～2.3之間。

4.如權利要求1所述的復合漸變折射層結構，其中該復合漸變折射層包括第一折射層與第二折射層，該第一折射層具有第一折射率，該第二折射層具有第二折射率，該第一折射層包括該第一表面，該第二折射層包括該第二表面，該第一折射率大于該第二折射率。

5.如權利要求1所述的復合漸變折射層結構，其中該復合漸變折射層包括第一折射層、第二折射層與一第三折射層，該第一折射層具有第一折射率，該第二折射層具有第二折射率，該第三折射層具有第三折射率，該第一折射層包括該第一表面，該第三折射層包括該第二表面，該第一折射率大于該第二折射率，該第二折射率大于該第三折射率。

6.如權利要求1所述的復合漸變折射層結構，其中該復合漸變折射層包括第一折射層、第二折射層、第三折射層與第四折射層，該第一折射層具有第一折射率，該第二折射層具有第二折射率，該第三折射層具有第三折射率，該第四折射層具有第四折射率，該第一折射層包括該第一表面，該第四折射層包括該第二表面，該第一折射率大于該第二折射率，該第二折射率大于該第三折射率，該第三折射率大于該第四折射率。

7.如權利要求1所述的復合漸變折射層結構，其中該復合漸變折射層包括第一折射層、第二折射層、第三折射層、第四折射層與第五折射層，該第一折射層具有第一折射率，該第二折射層具有第二折射率，該第三折射層具有第三折射率，該第四折射層具有第四折射率，該第五折射層具有第五折射率，該第一折射層包括該第一表面，該第五折射層包括該第二表面，該第一折射率大于該第二折射率，該第二折射率大于該第三折射率，該第三折射率大于該第四折射率，該第四折射率大于該第五折射率。

8.一種封裝結構，包括：

基板；

復合漸變折射層，形成于該基板上，其中該復合漸變折射層具有第一表面與第二表面，該第一表面為一入光側，該第二表面為一出光側，該復合漸變折射層的各層由氧化鋅硅所構成，且該復合漸變折射層的折射率自該第一表面至該第二表面遞減；以及

電子元件，設置于該復合漸變折射層的該第一表面。

9.如權利要求8所述的封裝結構，其中該氧化鋅硅具有化學式ZnxSiyOz，0≤x≤1，0≤y≤1，0<z≤3。

10.如權利要求8所述的封裝結構，其中該復合漸變折射層的折射率介于1.46～2.3之間。

11.如權利要求8所述的封裝結構，還包括第二復合漸變折射層，形成于該電子元件上。

12.如權利要求11所述的封裝結構，其中該第二復合漸變折射層的各層由氧化鋅硅所構成。

13.如權利要求12所述的封裝結構，其中該氧化鋅硅具有化學式ZnxSiyOz，0≤x≤1，0≤y≤1，0<z≤3。

14.一種封裝結構，包括：

基板；

第一復合漸變折射層，形成于該基板上，其中該第一復合漸變折射層具有第一表面與第二表面，該第一表面為一入光側，該第二表面為一出光側，該第一復合漸變折射層的各層由氧化鋅硅所構成，且該第一復合漸變折射層的折射率自該第一表面至該第二表面遞減；以及

電子元件，設置于該第一復合漸變折射層的該第一表面與該基板之間。

15.如權利要求14所述的封裝結構，其中該氧化鋅硅具有化學式ZnxSiyOz，0≤x≤1，0≤y≤1，0<z≤3。

16.如權利要求14所述的封裝結構，其中該第一復合漸變折射層的折射率介于1.46～2.3之間。