[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310585602.3
• 申請日: 2013-11-19
• 公開（公告）號: CN104659272A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周明杰;黃輝;陳吉星;王平
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/54
• 分類號: H01L51/54;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)

有機電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道（LUMO），而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道（HOMO）。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。

傳統(tǒng)的有機電致發(fā)光器件的電子注入層一般采用氟化鋰，但是由于氟化鋰熔點過高，蒸鍍時必須采用較大電流來蒸鍍，而有機蒸鍍室的蒸鍍室溫度過高，會使其他有機功能層受到破壞，并且氟化鋰的成膜性較差，容易形成電子缺陷，造成電子的淬滅，降低了電子和空穴的復合幾率。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種發(fā)光效率較高的有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述電子注入層由銣的化合物摻雜層和金屬摻雜層組成，所述銣的化合物摻雜層包括銣的化合物材料和摻雜在所述銣的化合物材料中的二氧化鈦，所述銣的化合物材料選自碳酸銣、氯化銣、硝酸銣及硫酸銣中至少一種，所述金屬摻雜層包括金屬材料和摻雜在所述金屬材料中的鎂的化合物材料，所述鎂的化合物材料選自氟化鎂、氧化鎂、氯化鎂及硫化鎂中至少一種，所述金屬材料的功函數(shù)為-2.0eV～-3.5eV。

所述銣的化合物摻雜層中所述銣的化合物材料與二氧化鈦的質(zhì)量比為10:1～30:1，所述金屬摻雜層中所述金屬材料與所述鎂的化合物材料的質(zhì)量比為0.1:1～2:1。

所述銣的化合物摻雜層厚度為5nm～20nm，所述金屬摻雜層厚度為10nm～50nm。

所述二氧化鈦的粒徑為20nm～200nm，所述金屬材料選自鎂、鍶、鈣及鐿中至少一種。

一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：

通過磁控濺射的方式在陽極表面依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層及電子傳輸層；

然后在電子傳輸層表面制備電子注入層，所述電子注入層的制備方式為：在電子傳輸層表面通過電子束蒸鍍的方法制備銣的化合物摻雜層，所述銣的化合物摻雜層包括銣的化合物材料和摻雜在所述銣的化合物材料中的二氧化鈦，所述銣的化合物材料選自碳酸銣、氯化銣、硝酸銣及硫酸銣中至少一種，然后在所述銣的化合物摻雜層表面通過電子束蒸鍍方式制備金屬摻雜層，所述金屬摻雜層包括金屬材料和摻雜在所述金屬材料中的鎂的化合物材料，所述鎂的化合物材料選自氟化鎂、氧化鎂、氯化鎂及硫化鎂中至少一種，所述金屬材料的功函數(shù)為-2.0eV～-3.5eV，及，

在所述電子注入層表面通過磁控濺射的方式形成陰極。

所述銣的化合物摻雜層中所述銣的化合物材料與二氧化鈦的質(zhì)量比為10:1～30:1，所述金屬摻雜層中所述金屬材料與所述鎂的化合物材料的質(zhì)量比為0.1:1～2:1。

所述銣的化合物摻雜層厚度為5nm～20nm，所述金屬摻雜層厚度為10nm～50nm。

所述二氧化鈦的粒徑為20nm～200nm，所述金屬材料選自鎂、鍶、鈣及鐿中至少一種。

所述電子束蒸鍍方式的工藝具體為：工作壓強為2×10^-3～5×10^-5Pa，能量密度為10W/cm²～l00W/cm²，有機材料的蒸鍍速率為0.1nm/s～1nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為1nm/s～10nm/s。

所述磁控濺射方式的工藝具體為：工作壓強為2×10^-3～5×10^-5Pa，蒸鍍速率為0.1nm/s～10nm/s，磁控濺射的加速電壓為300V～800V，磁場為50G～200G，功率密度為1W/cm²～40W/cm²。